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為何低內阻Power MOS會發熱?!

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發表於 2012-8-10 20:09:41 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本帖最後由 forest162 於 2012-8-10 08:12 PM 編輯

上次發了一篇TL494 Plasma Speaker,Power MOS的熱量大到要用大散熱片還要用風扇吹,IRFZ44這種低導通內阻的Power MOS不應該產生這麼多熱量,我做了一個實驗,把接反馳變壓器兩端改成接50W鹵素燈泡,連熱都不熱,而接返馳變壓器就跟上面說的一樣那麼熱...

我很好奇為什麼會這樣,問了雄爸爸,他叫我看MOS Vd-s 的波形比較看看,下面是示波器的照片

這是接上燈泡時Vd-s之波形:
燈泡Vds.JPG


而這是接上返馳變壓器Vd-s之波形:
返馳Vds.JPG

我們可以看到差可真多,接返馳變壓器有一個尖尖的往上,雄爸說那是"振鈴",是返馳變壓器的主線圈產生一個高壓打回造成的,這個會造成MOS導通阻抗改變,使其發熱,而解決方案就是"RCD吸收電路"

RCD吸收電路顧名思義就是由電阻、電容、二極體組成的吸收振鈴之電路。
來研究RCD電路這樣說不定就不用在散熱片加上風扇,甚至用小散熱片就可以囉


感謝雄爸指導^^

內容有誤請指教哦~~

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發表於 2012-8-11 09:12:29 | 顯示全部樓層
反馳變壓器是電感性負載所以要加緩振器(RCD,或RC),好像是電流落後電壓90度造成的.
鹵素燈泡為電阻性負載,沒有這個問題.
 樓主| 發表於 2012-8-11 09:46:26 | 顯示全部樓層
Ricky 發表於 2012-8-11 09:12 AM static/image/common/back.gif
反馳變壓器是電感性負載所以要加緩振器(RCD,或RC),好像是電流落後電壓90度造成的.
鹵素燈泡為電阻性負載,沒 ...

RCD與RC哪一個效果會比較好?
發表於 2012-8-11 18:27:49 | 顯示全部樓層
本帖最後由 Ricky 於 2012-8-11 06:31 PM 編輯

2者各有優缺點
RCD較RC優的地方有
1.減少整體電路的損耗,包括交換電源電路和減振電路的損耗.
2.達到較好的負載線,讓負載線落在安全的工作區域.
3.開關2端(在這裡也就是mosfet的d,s兩端)的靜態電容對減振器來說是有幫助的.
缺點1個:突波電壓會比最佳化的RC減振器高.
以上是個人看完文件的心得,有誤請不吝指教.

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發表於 2012-8-15 12:47:38 | 顯示全部樓層
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