日誌
- [draft] High Safty MLCC for crack solution
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高安全性積層電容之破裂短路對策 主旨 摘要 Open mode : Apply more margin leave solder electrode ..........................................TDK Cascade Electrode ( also known as Floating Electrode ) : As ...
![[draft] High Safty MLCC for crack solution](data/attachment/album/202403/06/142356e8sfksw98awzsxpa.png.thumb.jpg)
- 自己整理的 EIA Voltage Rating code 電壓代碼
- 自己整理的 未得EIA 正式文件 僅從各廠商文件拼圖湊出 NCC/RUBYCON/KEMET EIA 電子工業聯盟 將 以字母縮編代碼 以利 電子零件有限面積留下資訊額定電壓 起初 1A 遞增 3G , 低於1A(10V) 者以 例如: 0G 為4V , 0J 為6.3V SMD零件面積更少因此 省去前端數字 縮為單一字母改用小寫(10以下)大寫10 ...
- 雜談...金手指上錫 無關技術只關心態
- 朋 友的孩子 筆電 GG 了 拆下 記憶體模組後將金手指上錫 移用到新筆電不能用 拿來找我想辦法 有哇 新買一組 或是 花更多錢 移植記憶體芯片 不保證品質 但是解答太快又直接明瞭反而不真實 考慮了溺水者的掙扎心情 ...
- 雜談隨記
- 倍壓整流 正接正 負接負 剩餘正負配零線 基本倍壓是兩個電容 任選一個電容的正極 接到 橋式整流的正極 另外一個電容的負極 接到 橋式整流的負極 這兩個電容剩餘正負電極同接零線 零線 是 藍色 ...
- PFC變形
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這種變形PFC 合併共用MOS 應該可以試試 另左下稱為 Valley-fill_circuit 充電時 兩電容C經過中間二極體D串接 兩電容各自分得 1/2峰壓 放電時 中間二極體D阻擋串接放電 電容必須分別放電 但需線相位電壓低于單個電容(1/2峰壓) 電容才能放電 線電流 工作區間得以 ...
- 關於阻抗線寬 在Layout 設定上的小細節大問題
- 阻抗控制線寬 混合共用所衍生的問題 朋友公司的小兄弟 Layout 上出了的事 主因是 阻抗控制線的線寬與 一般線寬 混合使用 於是導致 PCB 板廠無法識別 電子公司 layout 人員 設計並定義前述及各種線寬時 ...
- LVDT
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外層 : M 區為無繞圈區 N 區為有繞圈區 磁芯移到 到 MN 區段 線性斜率不同 最好是單層 但總有需求提高感應信號強度 因而多層時 各層繞圈須繞滿層 沒有 M 區 亦可疏繞滿層 沒有 M 區 但須 ...
- 電線連接PCB錫焊點的止擋觀念
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電線連接到PCB錫焊點的止擋觀念 PCB 上的錫焊接點 ， 並不是個拉扯震動力學耐受很堅固的結構 很多人很直接的認為 它很強壯 ， 不好意思 它真是個脆皮 這個結構體有幾個結合面 (1)引線零件與錫 (2)錫與銅箔面 還拉扯著(3)銅箔與基板 基本上防禦觀點是 必須將力學因素 ...
- Google Sheet 試算表的翻譯功能
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這是剛學的 在 Google Sheet 試算表的實現翻譯功能 我還沒試離線板是否能用估計要線上聯網才行 MS危卵的試算表 當然是沒這功能 先送上圖 輸入 =GOOGLETRANSLATE(要翻譯的句子,"auto","zh-tw")
- 為何功率MOSFET P-ch 比 N-ch 貴又規格差?
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那個誰...你的問題我就答覆在這 ， 幾項重點該有的都上了 專有名詞細節就請自行關鍵字查谷大神 為何功率MOSFET P-ch 比 N-ch 更貴且規格差？ 這是學習裡偏重電子電路而不太理解半導體的人問出的話 ， 我還記得當年學習時 有那麼一段話 : 電子推擠(其他原子裡的) ...
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