[不專業維修筆記] BENQ VW2220H 不開機 | 萬用升壓板 MOSFET短路

peter180

檢修流程:

先確認外接adapter是否正常? 實測空載輸出12.27V正常。

螢幕插上電，LED指示燈沒亮。

電源插座量測到DC 12V 短路，拔除萬用升壓板接線，DC12V對地二極值恢復正常。

故障鎖定萬用升壓板，照線序、印刷標示為VCC短路(綠色)。

靜態測量MOSFET MOS1 D-S雙向短路，3.3V 2A燒機驗證，的確是MOS1擊穿。

擊穿MOSFET，雙向皆短路



BENQ 原廠故障的升壓電路板有留下來，找到上面的料件規格9997GH比萬用升壓板15N10 略低。

9997GH

15N10

更換完成

無妨，將這台退下來轉測試平台的螢幕。三介面依舊好用。

觀察主機板上的兩顆貼片功率元件PCB背面都發黃@@ ，應該也接近壽命終點。


參考文獻:

BENQ V2220H 背光燈不亮維修實例 by wet大
https://bbs.pigoo.com/thread-68605-1-1.html

SIMON1016

雖然粗略地看 APEC 的AP9997GH 電流電壓規格(Rds 120mΩ)好似略輸 15N10 Rds 100mΩ

但是細看它們Ciss Coss Crss   交換損失AP9997GH 可能會表現好一些  
9997GH 450/65/50 pF Ref https://www.electronicsdatasheet ... 9e82.pdf?format=pdf
15N10 1411/78/65 pF  Ref UTC:  https://www.unisonic.com.tw/uploadfiles/836/part_no_pdf/15N10.pdf

本來趨勢就是致力降低損失   MOSFET代換如果有餘力要注意世代差異 相對的新世代往往Ciss Coss Crss 會好一些
當然這些與操作頻率相關  

peter180

SIMON1016 發表於 2026-5-9 05:12 PM
雖然粗略地看 APEC 的AP9997GH 電流電壓規格(Rds 120mΩ)好似略輸 15N10 Rds 100mΩ

但是細看它們Ciss Cos ...

感謝SIMON大提供的考慮方向，我沒有想到"降低損失"這部分能從電容參數做評估。

以後代換時除了確認封裝、耐壓、耐流、Vgs(th)、Rds（on），還要注意這部份。

我抽空研讀MOSFET電容參數相關文章，多多益善

SIMON1016

peter180 發表於 2026-5-9 09:53 PM
感謝SIMON大提供的考慮方向，我沒有想到"降低損失"這部分能從電容參數做評估。

以後代換時除了確認封裝 ...

其實 我都是看 Qg : 注入到Gate 使DS完全導通 所需的總電荷  這與電容參數一體兩面

想快速切換 充放電流加大 / 負載電容要小  回歸電子學 T=RC

另外 MOSFET的交換損失 除了上述之外 還有 DS寄生二極體的Trr 它也來參與貢獻
而本例 昇壓電路 DS寄生二極體  有沒有參與呢?

若是 同步整流的 Low Side FET 其DS寄生二極體的Trr 是有參與貢獻

SIMON1016

續上 "研讀MOSFET電容參數相關文章" 過於片面
以[MOSFET損耗]做方向會比較好

解讀MOSFET應用上發生的功率損耗
https://viitorsemi.com/wp-content/uploads/AN-013_TW.pdf
這篇是同步整流的High Side Low Side 進行分析
操作頻率是數百KHz  若是再降低至百~數十KHz  導通與交換損耗佔比不同 選用MOSFET會有側重

peter180

SIMON1016 發表於 2026-5-9 11:22 PM
其實 我都是看 Qg : 注入到Gate 使DS完全導通 所需的總電荷  這與電容參數一體兩面

想快速切換 充放電流 ...

"而本例 昇壓電路 DS寄生二極體  有沒有參與呢?

若是 同步整流的 Low Side FET 其DS寄生二極體的Trr 是有參與貢獻"

再次感謝SIMON大 解釋，深層記憶稍微有一點浮起來

抱歉!小弟不知道...小弟電子學知識只靠依稀的印象，其餘的都還老師了