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元件負電阻特性的應用

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發表於 2015-3-11 20:59:28 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本文章最後由 ciko.ciko 於 2015-3-11 09:19 PM 編輯

本篇的介紹文乃得自於Scott大的簡易震盪電路的啟發http://bbs.pigoo.com/thread-55699-1-1.html
,到底什麼樣的元件具負電阻特性,此特性又多應用於震盪電路.此類元件有ysc大提及的UJT/PUT,還有雙向的DIAC元件,以及本文要介紹的部分電晶體E-C引腳,也具有此特性.底下使用了4種型號的NPN電晶體作為示範,其結果如下:

1.測試電路
負電阻震盪電路.gif
P_20150311_153849_HDR.jpg

2.使用自製示波器X-Y測試製具:
P_20150311_150749_HDR.jpg
P_20150311_150608_HDR.jpg
3.
P_20150311_151210_HDR.jpg
P_20150311_150901_HDR.jpg
4.
P_20150311_151504_HDR.jpg
P_20150311_151220_HDR.jpg
5.

P_20150311_151513_HDR.jpg

6.
P_20150311_153952_HDR.jpg

實驗心得:負電阻特性越明顯者,其震盪效果越佳,使用2SC1384時,請注意其負電阻斜率較為平坦,非常不利於震盪的形成.4種電晶體僅2N2222兼具雪崩特性,其餘僅具負電阻特性.(負電阻僅發生於E-C間,另一向為C-E並不具此特性)
P_20150311_150850_HDR.jpg

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 樓主| 發表於 2015-3-11 22:50:26 | 顯示全部樓層
請留意Zener的逆向崩潰與與負電阻特性元件,其在崩潰後的曲線斜率是相異的,前者為正,後者為負.僅存在負電阻特性才能有震盪的形成.
發表於 2015-3-11 22:51:25 | 顯示全部樓層
你以前好像有貼出自製的道具,是目前這個嗎?
若是的話,也把它連結一下.
發表於 2015-3-11 22:57:47 | 顯示全部樓層
今天用 2SC945 來做也一樣可以得到閃爍效果,充電電阻改大一點雖然閃爍頻率會降低,但可動作電壓範圍會比較寬。
 樓主| 發表於 2015-3-11 23:17:00 | 顯示全部樓層
有關元件V-I特性曲線測試製具,請參考此篇介紹.
http://bbs.pigoo.com/thread-55312-1-1.html
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