APM3054N的特性代用問題(已解決)感謝w大及各位大大的幫助

ez6129

APM3054N晶體代替有那些，找這棵找好久就是找不到，麻煩各位大大幫忙一下，還是PHB55N03LT這棵可以拿來替代

盧東佑

相同的n通道，
代用要注意
VDSS  D-S可承載電壓，愈大愈好（漏源電壓）
ID  D極可承載之連續電流，愈大愈好（漏極電流）
RDS  D-S間在倒通狀態時阻抗，愈小愈好（漏源電阻）
PD   散發功率，愈大愈好（漏極號散功率）

ez6129

了解~感謝
我再找找看吧
看有無替代品

ez6129

各位大大可否再幫我看看這棵76107D可否替代APM3054N
這2棵差別好像在PD不知道可否替代
找好久只找到這棵好像可以替代的
其他的替代零件問了好多家電材都沒有
只好看看這棵是否可以使用

wish

請問你有看過舊文中的MOSFET辨識教學嗎？

ez6129

W大你好:
我有看過你說的那一篇~也知道是w大發的文
你寫的很詳細,我也有依據你所說的重點去一一比對你所po的pdf檔
是小弟不才有很多地方還不懂~
也到網路上找過有關這棵的可用的代用品~
可是到電料行都找不到
盧大也有題到
VDSS  D-S可承載電壓，愈大愈好（漏源電壓）      (這2顆一樣)
ID  D極可承載之連續電流，愈大愈好（漏極電流）    (76107d是20a 3054n是15a)
RDS  D-S間在倒通狀態時阻抗，愈小愈好（漏源電阻）(76107d是0.052Ω  3054n是0.540Ω 不知道有沒有看錯)
PD   散發功率，愈大愈好（漏極號散功率） (76107d是35w 3054n是62.5w 不知道有沒有看錯)
所以才會問可不可以替代
p.S:小弟因非本科系,問題多請你原諒

HappyMaChi

我沒去看你的datasheet! 從你的說明直接看!
76107d 比 3054n 的特性好, 可以替用! (其實除了以上特性之外, 還要注意到 VGS 的控制電壓特性! 特別要留意 VGS 電壓特性!)

建議你可以把 MOSFET 基本元件特性先瞭解一翻, 對你電子知識會有很大的幫助! 加油!~hm224~
(網路版內都有很多知識可搜尋, 找不到時可去維基百科!)

wish

其實你只要把不確定的部份指出來，例如︰
PHP55N03 VDSS=25V，ID=55A，103W，14mΩ
APM3054 VDSS=30V，ID=15A，62.5W，48mΩ
如果你是用在12V的場合，那VDSS對這兩者並無影響，因為這兩個的耐壓至少都在12V以上。
耐電流就差別大了，PHP55N03的ID=55A，APM3054=15A，前者當然能夠代後者。
功率也差很多，前者比後者多了40.5W，當然PHP55N03勝出。
最後是你的單位弄錯了，14mΩ是等於0.014Ω，48mΩ=0.048Ω，當然也是PHP55N03勝出。
其它讓你自修一下。
為什麼我不直接用76107D說明，因為我要你自己看，相信我，多找幾次你就會教人看Datasheet了。
最後我不知道你為何要提"原諒"，這裡不會不歡迎非本科系的人呀！

ez6129

感謝h大
你特別題到的vgs我會再進一步去注意的
順便在此一問,像這顆APM3054 VDSS=30V，ID=15A，62.5W，48mΩ
vgs=+-20v<==這個是否代表VDSS=30V要+-20v

MOSFET 基本元件我會再好好的去了解
再次感謝

ez6129

w大不好意思再冒昧請教
如你所說的這2顆
PHP55N03 VDSS=25V，ID=55A，103W，14mΩ
APM3054 VDSS=30V，ID=15A，62.5W，48mΩ
如果你是用在12V的場合，那VDSS對這兩者並無影響，因為這兩個的耐壓至少都在12V以上。<==是否用在vdss值以下就ok
例如:APM3054 VDSS=30V只要是30v以下就可以,也就是說用在5v的環境下也並無影響

wish

你說的有點對，也有點不對。
例如APM3054 VDSS=30V，那你讓它工作在30V是它的臨界點，這樣是不是很不安全？所以一般我們會留餘裕。
你想一下，工作電壓用12V，MOSFET你用24V的耐壓，那對MOSFET來說是不是比較合理？
不只是耐壓，電流也是，功率也一樣。
不過不要只注意這些，這些只是主要的特性，知道了主要特性，接著要去注意細節，你才會進步。
我回答你最後的例如，你再把兩個Datasheet打開看一下，VGS變小時，什麼會變大？是RDS對不對？或許些微的變化在實用上不要緊，但是你一定要知道會產生那些變化。
所以我剛開始的時候才對你說，你說的有點對，也有點不對。

ez6129

感謝w大
關於MOSFET的值，及使用時機我了解了

雄爸爸

Vgs = +-20V
是該晶體的規格(Max)
9#
說的Vgs是電氣特性

Vgs跟RDS(on)有很大的關係
特別是在CPU核心電壓這一類的低壓迴路上

ez6129

感謝雄大
我了解了，也就是說g-s端10v的話d-s端會產生48mΩ的內阻值，在找替代時內阻值越小越好
只是我還有一個地方不了解，就是Vgs = +-20V的+-20v代表什麼，是否是g-s端要在正20v以下負20v以上的範圍內。

雄爸爸

Vgs輸入正電壓是要讓該晶體導通用的(ON)
輸入負電壓是要加速該晶體截止用的(OFF)
單純的Vgs=0V,截止速度較慢
如果輸入負電壓,強制將Qg(總輸入電容)的電壓抽掉
即可加速該晶體截止(OFF)
提升工作頻率&提升效率
如果輸入電壓超過Vgs(max),該晶體將造成損壞
所以很多電路都會在gs並15V的ZD做保護

ez6129

感謝雄大的詳細解說
這樣我大概都了解了

casielid

學益良多呢@.@謝謝了