KLEVV NEO N400 SSD 240GB，12V與5V接反燒毀，維修翻車實例

jacson99

KLEVV NEO N400 SSD 240GB，12V與5V接反燒毀，維修翻車實例
型號:KLEVV NEO N400 240GB
故障情形: 原使用者，SATA電源12V與5V接反，SSD主板燒毀，5V短路，

1.KLEVV NEO N400 SSD 240GB(背面)


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2.KLEVV NEO N400 SSD 240GB(正面)


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3.開殼(外殼只有卡扣，無螺絲)，
主控SM2259XT，明顯燒毀處，左側上、下各一顆S2CAD(SY8089 Buck)，
左側中間這顆絲印看不清楚，
google gemini說: "可能是S3508，可能是SY6280AAC(power switch)"，
(但我實際測量，比較認為這也是一顆buck，)
右側S2CAD看似正常，實測VOUT也是短路，


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4. 原本5V短路，拆掉電源IC，所有電感對地依然短路，
電感輸出端接0.8V，限流1A，準備燒機找短路點，
(其實我是先買電源IC，後面才想到要熱呈像燒機找短路點，
google gemini說:12V與5V接反，大概率就是燒電源IC，主控和flash沒事，
換電源IC就能修好...@#$%

不得不說，google gemini很容易把故障說得很有機會修復，美化故障點，
實測才發現事情沒有憨人想的那麼簡單；
M365 copilot回答就會比較保守，思慮周全，反覆再三確認，
工程除錯，還是M365 copilot略勝一籌)


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5.未上電，熱呈像，


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6.上電，0.8V，限流1A，熱呈像，
主控SM2259XT先領便當了，


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7.拆主控，還有一顆電感，輸出對地0.1歐姆，依然短路，
接線，準備再次燒機，


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8.0.8V，1.2A，左側FLASH，也領便當，
右側FLASH，看似沒明顯外傷，肯定也有內傷(漏電嚴重)，
就算能搬板做成隨身碟，壽命、可靠度都大有問題，
M365 copilot回覆: 如要練習BGA、搬板，可以；
如果打算日常使用，建議放棄。
放著當墊腳石了，

謝謝收看，

jkpigoo

上次說Ai很厲害還會修，但是還是有凸槌的時候，僅供參考
Ai很厲害還是不可否認的，可以提供很多，但是Ai還是無法提供"點位圖"跟電路圖，哈哈!!

ㄚ三哥

放棄也好，修好IC還要開卡，忙忙忙。

wish

其實翻車也是很好的經驗。

jacson99

wish 發表於 2026-9-20 10:25 PM
其實翻車也是很好的經驗。

這道理我懂，
失敗，是成功的媽媽的媽媽的媽媽，

tone

顆粒拆下來量power pin看有沒有短路...
短路八成GG了

jacson99

tone 發表於 2026-9-21 07:23 PM
顆粒拆下來量power pin看有沒有短路...
短路八成GG了

看熱成像，左邊那顆flash，不用拆也知道短路，

右邊那顆，用膝蓋想，肯定也傷到，
熱成像溫度集中在左邊，這是"Current Crowding Effect，電流擁擠效應"，
因為導通路徑不等長，電流走最短路徑最小阻抗，
所以電流全部集中左側，

但最初12V擊穿時，瞬間就衝擊所有低壓元件，
沒死的也是半條命，

如果有拆，後續會再分享，
剛溫

jacson99

ㄚ三哥 發表於 2026-9-20 01:59 PM
放棄也好，修好IC還要開卡，忙忙忙。

另一片，kingston NV2 512G，
搬板的全新料板，已到貨，
和照片上，版本不同，
4顆FH12808UCD1-23已焊上，插上NVME轉USB轉接卡，
SM2263XT正確辨認，但讀不到4顆FLASH，

debug發現，全新料板預設VDDQ=1.2V(FLASH的IO power)，
查詢M365 copilot，FH12808UCD1-23的VDDQ=1.8V，2CE
其中VDDQ=1.2V必須把DC-DC回授電阻，由100Kohm(0201)，改為51Kohm(0201)，
2CE要搬動0 ohm(0201)，

0201目前手邊沒料，用0402飛線難度超高，
(0201大小跟螞蟻一樣，必須用顯微鏡焊)
保險起見，還是淘寶0201來換，
待後續有班車，再買料動工，有後續會再發新帖，

ㄚ三哥

jacson99 發表於 2026-10-11 04:00 PM
另一片，kingston NV2 512G，
搬板的全新料板，已到貨，
和照片上，版本不同，

感謝您的辛苦，期待下一步的進展。

jacson99

ㄚ三哥 發表於 2026-10-11 04:50 PM
感謝您的辛苦，期待下一步的進展。

"VDDQ=1.2V改為1.8V，必須把DC-DC回授電阻，由100Kohm(0201)，改為51Kohm(0201)，"
=>昨天用顯微鏡把100Kohm(0201)，改為51Kohm(0402)，
結果，VDDQ=1.2V變成2.4V,
賣家資訊一定有問題，FLASH很大機會受傷了，真不甘心啊，XD

查M365 copilot，回覆:
以現代 1.8V NAND 而言：

狀況1，剛上電數秒就發現：
2.4V
↓
立即斷電，很多時候顆粒還活著。

狀況2，反覆開卡，
2.4V持續數分鐘，反覆讀寫，危險度高很多。
因為：I/O PAD，ESD 保護結構，輸入緩衝器，都可能承受過壓。

我的2.4v可能持續有1~2分鐘，狀況不明朗，
以後這種料版，記得要先調電壓再上件，
(若沒顯微鏡，建議別折騰，0201元件用肉眼根本不可能成功焊接)
待下次淘寶，打算買單顆FLASH轉USB隨身碟的套件來測試FLASH是否健在，
若FLASH正常，就把這NVME料板電壓修正後，再重植測試，
有後續會再開新帖分享，3Q

SIMON1016

jacson99 發表於 2026-10-19 03:02 PM
"VDDQ=1.2V改為1.8V，必須把DC-DC回授電阻，由100Kohm(0201)，改為51Kohm(0201)，"
=>昨天用顯微鏡把100K ...

我查到的是
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AI 摘要

晶片型號 FH12808UCD1-23 是由 闪迪（SanDisk / Western Digital） 生產的 112層 BiCS5 3D TLC NAND Flash 閃存顆粒（封裝為 BGA132，單顆容量 128GB）。
其 VDDQ（接口/輸入輸出電路供電電壓） 規範如下：

核心電壓參數

• 標準 VDDQ 電壓：1.2V
        • 在現代固態硬碟（SSD）主控（如常搭配的 Marvell 88NV1120 或 Phison PS3111）中，為了實現 Toggle 3.0 / Toggle 4.0 以上的高速 I/O 速率，其 VDDQ 普遍運作於 1.2V 供電平面。
• 兼容模式 VDDQ 電壓：1.8V
        • 部分舊款主控或傳統 Toggle DDR 模式下，亦可支持 1.8V 供電。

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FH12808UCD1-23這VDDQ 應該還是用 1.2V  /* 全新料板預設VDDQ=1.2V繼續沿用 */

jacson99

SIMON1016 發表於 2026-10-19 04:14 PM
我查到的是
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AI 摘要

感謝SIMON1016大回覆，
查詢google gemini，真的是寫1.2V、1.8V兼容，
(但用M365 copilot查，寫1.8V)

這PCB在淘寶上找到另一賣家，電阻改法也相同，
我是把原本0201並聯了0402，讓它從100Kohm，變為51 Kohm，
量測阻值也是正確，希望是我昨天緊張量錯電壓，
(不過昨天選了兩個開卡軟體，一樣認不到flash)
2CE的電阻已改好，下周再用顯微鏡把它改回1.2V重試，

SIMON1016

AI 搬來的東西也是不辨真偽直接搬移，
昨日AI參考資料還是英文，剛剛重新用谷歌[ FH12808UCD1-23 的VDDQ ] 跑一次刻意有'的'這個中文字，出來的結果完全以痞酷本篇討論文直接當作結論，問題是本篇還沒出結論。
所以其所列出參考來源都得去查看一下。