討論記憶體電路 PART2

playx

這是一張記憶體供電的原理圖,發現MOS管發燙,請問各位大大會如何處理?

也歡迎高手前輩來指點,讓小弟少走彎路.



讓我用流利的中文為大家介紹 :

在通電瞬間,LM358沒有電壓輸出,Q1的G極為低電平,Q1處於截止狀態,S極無輸出電流.

通電後LM358輸出高電平,此時G極的高電平使MOS管導通,B點電壓開始上升.

LM358會將反向輸入端電壓(B點的回授電壓)與輸入端A電壓比對,如果反向輸入端<輸入端

LM358的正電壓繼續升高,直到反向輸入端與輸入端電壓一至為2.5V,這時LM358才保持

平衡輸出狀態..

若反向輸入端>輸入端,則LM358的負電壓會升高,直到反向輸入端與輸入端電壓一至為2.5V,這時LM358才保持

平衡輸出狀態..

playx

先說說我的看法...

1  先檢查LM385的輸出電壓是否正常?若不正常則查A點電壓
    若A點電壓正常則LM385壞掉,換掉再測.如果一切都正常就往
    MOS管檢查.

2 先查D極是否正常?正常的話查B點電壓是否近似2.5V,如果正常管子會燒,
   可能本身不良,拔下替換試之,換過之後還會燒一定有短路.

3 由圖得知S極出來是往記憶體方向走,所以檢查記憶體插槽是否有空焊
   ,損壞不良以及記憶體本身是否良好.

4 若記體體查不出問題來則往北橋跟CPU方面查,另一篇已有討論
   就不再重複,這是我檢查的方法,也希望各位大大能分享你的經驗.n_067|

http://bbs.pigoo.com/viewthread.php?tid=8685&extra=page%3D1

wish

A點有些主機板是用LM431穩壓IC方式，當然這是比較不偷料的做法。

playx

我找張比較簡單的電路圖來說,請問w大我的觀念正確嗎?

因為這已超越我的極限,很怕誤導別人..n_058|

carzy1kimo

~~我還不能夠判斷 出 .......努力的學習中....
LM431 它的結構不同阿... 造W大的經驗 431比較好  
若是用 LM431接法是不是就不同了 ~hm229~

wish

3.3V經過1K及3.24K串聯後接地，我們可用歐姆定律求出其電流值︰
3.3/4240(1K+3.24K)=0.00078A(最後一位四捨五入了)
A點對地電壓則︰
3240*0.00078=2.5272
所以這是LM358的基準電壓，而誤差電壓則由B點直接取樣，所以B點當然是2.5272V，這就是DDR記憶體的供電電壓2.5V的由來。
既然兩支電阻就可以分壓出2.5V，那為什麼還要MOSFET？因為電流太小了，所以要經由MOSFET"放大"，這叫做小電流控制大電流。

接下來是你的問題︰
一、你說A點電壓正常則LM385壞掉，這並不一定，A點電壓正常只表示那兩支電阻阻值正常。
二、MOSFET拆下後測量，如果MOSFET沒壞，先不要裝上去，應該先測量主機板S極引腳對地是否阻值很低。
三、檢查重點應放在短路而不是斷路(空焊是屬斷路的一種)，接下來你的觀念是對的。

playx

請問w大.....在lm385修正輸出端電壓已不正常,a點電壓正常

該如何檢測lm385好壞呢?

非常謝謝w大上了寶貴一課,讓我受益良多~hm375~

playx

MOSFET拆下後測量，如果MOSFET沒壞，先不要裝上去，應該先測量主機板S極引腳對地是否阻值很低。

---------------------------------------------------------------

請問w大這句話意思是否萬一阻值短路就不該接上mos管..

wish

用LM431當然比較好，因為它是專為基準電壓而設計，ATX的電源供應器也有用到它，它算是應用的很廣泛的零件。
接法部份可參考LM431的Datasheet，裡面有如何應用的方式。

wish

在電路板上要測量LM358好壞比較困難，以上述的例子，如果B點電壓太低，那LM358會嘗試提高輸出想補足2.5V，但是如果MOSFET漏電嚴重、短路或者其它有使用該2.5V零件短路超出MOSFET的能力時，LM358也是心有餘而力不足。

LM358這種比較器會損壞，一般應該是它的供電電源異常或輸出放大零件故障(以這裡為例是MOSFET)導致。

wish

是的！輸出短路不先解決，換上了也一樣再燒掉。

playx

謝謝w大熱心教學,我發覺我的功力又上昇一滴滴

又變聰明了,時間來不及要出車了,謝謝~hm375~

wish

路上小心！不要太想我。

zenkn

檢查是否有短路

macliu

那請問一個題外話
對於mosfet我對它是吹鬍子乾瞪眼
因為透過LM358 + 基準電壓後會讓B點有個2.5的電壓出現
OPA是負責比較
然而OPA的輸出電流比較小
因此需要透過MOSFET去放大電流

最近我終於了解GDS(對於N-CH MOSFET)的功能
G是接控制訊號
D是接VCC(進來的電)
S就是輸出

只是我一直無法了解G級的電壓範圍
是否OPA輸出2.5V > G時
因此S就會輸出2.5V呢?

Mac

s10274chen

回覆 15# macliu

主要是取決於V[sub]gs[/sub]的壓差，而調整MOS的通道寬度，太大的話，MOS等於是整個通道都打通，猶如短路狀態；反之，太小，MOS猶如把通道關閉，如同開路。
在這邊的電路中，G極最高電壓是在OPA正飽和輸出電壓，最低則為OPA負飽和（由於這邊的OPA是單電源，所以最低為0V，但不會一定就是0V，大約是0.xV左右），正常運作時 G極電壓會在這範圍之間。

macliu

^^@~
感謝回覆
但說真的~~看文字說明還是好難懂
如同看教科書
為什麼會有這樣的疑惑
是因為最近在查修一台nb
追電源電路時
發現G & D腳吧
都是19V
S = 0V
(PS:我不知道有沒有記錯)
這就讓我很難懂了

所以一直搞不懂
MOSFET是電壓控制的元件
然額電壓控制的RANGE 與S的輸出到底有啥關係

懇請各位前輩指導

Mac

s10274chen

回覆 17# macliu
是可以看這張圖比較容易了解囉！V[sub]TH[/sub]是MOS臨界電壓，當MOS要導通時，一定要「突破」這個臨界電壓。
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/d/d7/IvsV_mosfet.png/800px-IvsV_mosfet.png
以palyx大在一樓貼的圖來看，我們把汲極（D）電壓固定在3.3V，那麼接下來，I[sub]D[/sub]，會隨著V[sub]GS[/sub]的大小而調整；因為源極輸出有電容，按電容儲能的功能，當電容要充電時，代表輸出電壓不夠大（<2.5V），所以閘極電壓加大，使I[sub]D[/sub]電流變大，進而充飽電容，使電壓拉高；反之，電容電壓夠大了，閘極電壓可以減小，使ID電流變小，電壓也會因為負載消耗而慢慢降低，直到OPA又偵測到電壓太低了（<2.5V），而再提高閘極電壓來使MOS導通，對電容充電。

反觀回來macliu大您的筆電查修結果，先確定S極並沒有對地短路後，閘極很明顯已經加到很高了，S極仍沒有電壓，那麼MOS有可能已經打穿了。