[轉貼] 900亿个晶体管，如何放进一枚芯片？巨型CPU的制造与进化

ericchou

CPU是如何制造与迭代的？  
硅基进化速度能否超越人类？  
本期聊聊苏妈的九百亿晶体管：  大型CPU之——EPYC服务器芯片


https://www.youtube.com/watch?v=wJ3BbmJylKY




補充內容 (2024-8-26 08:07 PM):
2，3，4樓轉貼大陸的發展進程資訊，純粹看看不同角度立場的其它報導。

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万字浅析大陸EUV光刻机DPP LPP等离子和SSMB稳态微聚束光源

三年前，美国开始对大陸高端芯片产业进行绞杀的时候，半导体行业最乐观的人，都觉得大陸DUV光刻机的诞生起码需要10年时间。

众所周知，EUV光刻技术是一个极其庞大、却又无比精妙的系统工程，而EUV光刻机又以光源为核心中的核心。

产生13.5 nm EUV的首选方法是高电荷离子的等离子体发射，实现电离的方法也出现了2个主要分支，即LPP激光等离子体和DPP放电等离子体。

加速器光源业内也早就积极摸索，最为创新、最为颠覆性的加速器光源是SSMB-EUV，即稳态微聚束极紫外光源路线，由大陸清华大学主导。

https://www.youtube.com/watch?v=v3BPlGyYK3U

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万字全解国产EUV光刻机光学系统及华为EUV专利

EUV光刻机共有三大核心部件，分别为EUV光源系统，光学曝光系统以及超高精度真空双工件台。

其中EUV光学曝光系统就像科幻世界中的虫洞那样，这边是碳基人类的物理世界，那一边则连接着硅基微观赛博世界。

EUV光学曝光系统又包含三大核心部件：

照明、掩膜和物镜。照明系统位于光源和掩膜之间，调节光场的空间和角谱分布，为掩膜版提供曝光最合适的照明光场。

物镜则把掩膜的图案投射于晶圆之上。

光刻机通过照明系统、掩膜版、投影物镜、加上实时的光刻计算，光学曝光系统三大部件互相动态配合，从而实现最佳的光学曝光方案。

大陸光学领域龙头老大是中科院长春光学精密机械和物理研究所。

所以EUV光刻机的高精度弧形离轴反射镜系统，长春光机所义不容辞挑起了大梁。

https://www.youtube.com/watch?v=sBQjfp50-4M

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万字浅析EUV国产光刻机的哈工大激光干涉仪和清华双工件台

真空双工件台是除了光源和光学系统之外的EUV光刻机三大核心技术之一。

工件台用于承载硅片，掩模台用于承载掩模板，两者配合实现对准、调平调焦、步进和扫描曝光，使得掩模上的电路版图能快速地转移到硅片上的曝光场，如此循环往复完成硅片上所有视场的曝光。

EUV工件台需要在超过5米/秒的高速、7G高加速度下实现亚纳米级的量测精度。

哈工大突破了Keysight和Zygo在该领域的垄断，哈工大研发的“真空用超高精度激光干涉仪”已完成验收，位移分辨率高达0.005nm，位移测量标准达到0.03nm，关键指标表现和ASML至高水准相差无几，符合EUV双工件台对该技术的精度要求。

光刻机双工件台，这个当之无愧的“精密机械之王”，也被清华大学朱煜教授带领的团队攻克了。

https://www.youtube.com/watch?v=tg3aNNJl24k