UC3845 一些電路小問題

咪哈哈

本身不是設計電源的...不是很懂

我從手冊抓的圖，實際是ucc3845


Q1:
綠色框框區域那兩顆蕭特基用途是一樣的嗎?
我看起來像保護，但我想不到在什麼情況下保護什麼...

Q2:
1.CVccbp上面描述到要 gate 電容 10倍以上，是指Ciss嗎?
2.這個不是自舉為何需要這個電容?

Q3:
紅色區域
目前有遇到的問題
mosfet IRF840 電路是RG=0  Rbleeder=22K

之前生產的東西是可以用的，中間有採購一些不同梯的料。VGS 原本應該在15V，0切換。

但是這次做出來會產生VGS拉不到15V ，導致MOSFET瞬間高熱。

目前試出來的OUTPUT，GND那顆蕭特基，前一批的二極體檔量的跨壓比較低。可以正常運作。
這梯使用的蕭特基二極體跨壓較高，就不正常運作。
也就是回到Q1的問題....那顆是做什麼用的。



內文有一點長...感謝各路電源高手觀看...謝謝

ciko.ciko

Q1:圖中應是Zener
Q2:他是高頻電源濾波電容,並聯在7腳的電解電容上.
Q3:你若使用3845,他的工作電壓是在7.6-8.4V之間,故不像3842的工作電壓是在15V上下.也因其輸出電壓稍低,故在選用MOSFET時,應選用較低Vgs偏壓的MOS管.

tonysun

Q1 與 Q2 請看 TI 下述文件 3.1.1 與 3.1.2 章節 (請用文件名或標題作關鍵字搜尋即有)
英文: slua618a.pdf  Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits
簡中: zhca770.pdf  MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理

Rg =0 啊，可能還有振盪問題，這電阻是給阻尼，用以抑制振盪的，還是選個數值吧，可以看一下文件其他部分

樓上提到的 MOSFET 閘極電壓問題也請留意

SIMON1016

初期 AC電壓投入時  MOS_D 電壓從零上昇  使得D-G 和 G-S MOSFET內部電容Cgd Cgs 出現充電效應  

這瞬間 比 384X '清醒'過來還早      沒處理好就是炸MOSFET

C_Vccbp 的bp 是 bypass 用那個二極體 將這Cgd充電流 導到C bypass 上
所以 要求 10倍(C iss)以上 壓制電容分壓 不使G的電壓上升到mosfet 導通  只靠電解電容反應速度不行 需用陶質/積層之類等    這裡爭時間 布局也要注意線長影響速度

這裡 R Bleeder 也協同作戰 將Cgs 能量洩放

上面二極體 用1N4148 都行  下方一般都用ZENER 取值 GS 極限耐壓的80~90% 而極限耐壓 有+/-20 也有+/-30  
為相容不同MOS廠商 以20V計 則80%為 16V Zener , 有時數值會與384X 工作電壓衝突  則再調整

蕭特基二極體最大的缺點   漏電流偏大

咪哈哈

感謝各位高手的花時間解說，十分受用。