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大電流充電器防接反倒灌線路。

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發表於 2023-11-14 14:34:08 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本帖最後由 康品穎 於 2023-11-14 03:04 PM 編輯

學過八字後知道自己是自討苦吃的健(濺)骨頭,沒辦法就是閒不下,我是不x表面的人,上一篇的一鍵切換TRENY電動起子改2並6串鋰電池
https://bbs.pigoo.com/thread-88157-1-1.html
(出處: 痞酷網_PIGOO)

天真的我以為接個二極體就解決了,詳情如下;自覺圓滿,可憐我的人,麻煩指證並延伸教導,感恩~~~

***題外話至下個星號可跳過;忘了在哪搜到的分不清是不是菜(很久的資料),所以覺得可用的就收集到我的智慧桶(用筆記錄的),說真的我總覺得很簡單的知識我總是下一番努力獲得,真想請教前輩們!技術是真的很難嗎?暗想如果真的那樣。非常感謝上天有緣的:站長.前輩老師們!更感謝我的大我心靈.開了這扇窗。感謝提攜我的人,我的”大有”內心更感謝一生接觸的每個團體及成員。

看到最要好的朋友一個個蒙天主招喚(最怕聽到身後不平之音),不要自以為很行,會輸在社會的演進.以及自己的判斷嗎?朋友們!衝吧!至少還有肯定自己心靈的感覺。真誠最後會得到回報的,至少身邊的人或萬物與您同在.與您站在一起(自啟蒙就是道家的奉行者),過了一甲子,遇見社會百態,可謂:神鬼一線之間,過往筆記編輯顯示,有心可自自己查更好吸收,眼力不好,如有誤差請見諒:***

以為二極體即可從大功率整流到蕭特基全試過,壓差大.電流變小。
1.jpg

費了一番力氣各種二極體試了很多次(這個5A適配器外殼還有ㄇ型鋁散熱板,拆了好幾次差點投降,調整431分壓電阻。結果還是內阻過大,充電電流不成比例,研究了太陽能板充電.防倒灌模塊,只是兩個ss56蕭特基,也不適用。
2.jpg

拆拆裝裝,試了不下十次,電線破皮了,鋁板也裂痕了,累了--晚上睡覺竟然想到mos防反接電路(其實我當時想的是:電動起子切錯按鍵成12V,每每造成適配器線路損壞的問題。
於是翻找了mos舊料(晚年又無退休金的人,免錢的玩玩就好,又不一定成功),直覺研究很久:小賴大給的.呆神吸塵器電池.保護板上的mos(上漆了無法看到型號,測得n-mos.成功率較高,這個玩了很久.內部短路的優先殺肉吧!--背景及視線路圖
3.jpg

可行喔!沒壓降,電流損耗也小
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測試充電狀態;
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不經過mos模塊
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電池反接看看:電壓0
7.jpg

充電切成12v線路準備好,心裡掙扎就差接通
9.jpg

總要接上吧!太棒了,電流只有1ma,本來想裝pptc也可省下了,不必為一個了小零件網購,感謝大家眷顧,順心了,謝謝!感恩~~~
9.jpg
補充;mos防反接線路,我只在G加上10K電阻及鉗位二極體6.8V防倒灌
10.jpg

補充;照片上.我的DIY可調電源供應器0-30v可調電源供應器,用環形變壓器改良手動四段輸出
https://bbs.pigoo.com/thread-65908-1-1.html
(出處: 痞酷網_PIGOO)
,本來只能調電壓,現在已升級也可調電流了喔!而且可調電阻壞了幾次,後來拆開加上學姊的接點油,現在已經金光護體,很耐用了,原來只是接點過熱變形,接觸不良,上接點油就解決了,不必常換VR了。

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發表於 2023-11-15 00:20:14 | 顯示全部樓層
古語:鍥而不捨,金石可鏤!! 竊而捨之,朽木不折!!
康兄的毅力可以寫入"電子研究的史詩"!!

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發表於 2023-11-15 00:27:25 | 顯示全部樓層
本帖最後由 eldlee6056 於 2023-11-15 12:32 AM 編輯

恭喜你找到合用的方法 , 我也是從小自學非本科 ,

有興趣的事 , 就會用心去多學習 ,

或許你是做紀錄時筆誤 , 提供你一下 Nmos Pmos 的畫法 .



Nmos.png


Pmos.png


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 樓主| 發表於 2023-11-15 08:54:41 | 顯示全部樓層
antlu 發表於 2023-11-15 12:20 AM
古語:鍥而不捨,金石可鏤!! 竊而捨之,朽木不折!!
康兄的毅力可以寫入"電子研究的史詩"!! ...

感覺是瞎貓碰到死耗子,一向認為不成功是努力不夠,以前老師給的解釋"魔考",成功了表示:老天公平的,有行動就有收穫,所以成長了,也感謝大家長期的指導,才有今天的成果,能有那麼好又學無止境.的遊戲可玩,謝謝!不然活到現在,不知要做甚麼來打發,感恩~~~
 樓主| 發表於 2023-11-15 09:11:03 | 顯示全部樓層
本帖最後由 康品穎 於 2023-11-15 09:12 AM 編輯
eldlee6056 發表於 2023-11-15 12:27 AM
恭喜你找到合用的方法 , 我也是從小自學非本科 ,

有興趣的事 , 就會用心去多學習 ,


感謝指正;英文不認識我,不要笑我喔!其實中文也是不好(常翹課.直到小五訓導組長當導師,才開始認真),注音不會拼,常常找不到字,有電腦可選字就很棒了,要不然以前寫字,筆劃多的只記助外框,中間常用畫的。

現在進步多了,還有酷狗翻譯,不然圖形記憶數量有限,光要記簡單的VGS等---就很吃力了。

謝謝您!感恩~~~
發表於 2023-11-15 09:34:02 | 顯示全部樓層
有興趣於電子線路是件好事,能有效維持腦袋的運轉抗拒癡呆的發生。

除了電路技術外應該改善手藝的美觀,盡量提升成品為手做的藝術品。
電路試做實驗成功後應繪製 PCB 並送廠製作,這時代許多 PCB 軟件都不用錢甚至 PCB 打樣也不用錢。
再買個合適的新外殼如鋁擠陽極處理的來安置成品並貼上標示,在功能性、美觀性與耐用程度都能大大提升。

同樣的實驗電路畫 PCB 再做一次能夠驗證自己對線路與元件數值的掌握程度,也方便日後的修改與維護。
漂亮與合宜的外殼在使用的當下都能獲得滿滿的成就感也較易收藏保存。

不要讓 DIY 與土炮劃上等號。

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發表於 2023-11-15 11:04:30 | 顯示全部樓層
這兩個電路是電源設計中很常見的電路

NMOS 型態通常用在電池保護板

一般用途大多使用PMOS型態 其主要的原理是電源上電瞬間 電流會經過PMOS 的Body Diode 流經負載導通電路 , 當電路導通之後 , 使得VG = 0V , VSG > VSG,TH(閥值電壓) , 故而PMOS ON , 電流改由MOSFET 通道經過 , 由於PMOS 全開之後近似短路(因RDS,ON非常小) , 故而電流不走BODY DIODE , 自然就沒有二極體壓降問題 ,  而當反接時 , 由於PMOS 關閉狀態, BODY DIODE 逆向 , 故而截止.

這個電路也不是萬用的, 曾經有一種電路讓我吃了大虧 , 這種電路後端需抽 10A-20A 負載 , 這種情況之下, 如果使用PMOS電路保護的話, 會使得負載端瞬間大電流抽取不夠往前級抽, 在電路板有限面積情況之下.
電容不可能放得太大,導致前級電容會造成壓降, 所有電路的功能將會異常,

所以在大電流的情況下 , 二極體 或是 繼電器 會比這個電路來的好用 , 因為二極體單純單向 , 不會逆抽  

經驗分享 請不吝指教

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發表於 2023-11-15 15:35:44 | 顯示全部樓層
yoweichan 發表於 2023-11-15 11:04 AM
這兩個電路是電源設計中很常見的電路

NMOS 型態通常用在電池保護板

應該避免讓 BODY DIODE 成為供電路徑 ,

它的發熱比 mos 路徑來的高 , 散熱要注意 ,

時間短還好 , 來不及溫升 , 若要避免 , 可以兩顆 BACK TO BACK .

至於倒抽 , 只要供電來源容量不夠 ,

又無適當容量的電容幫忙挺過 , 壓降都無法避免吧 .

我的認知有限 , 歡迎指正 , 我樂於學習 .

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發表於 2023-11-15 18:30:22 | 顯示全部樓層
N-MOS  當VGS 達到  DS導通條件時   電流D流向S   也可以S流向D
這個例子就是 S流向D  (電晶體就不行囉)

但這不是各式場合萬用  有些場合暗藏 潛在隱患  
供應源頭電壓 低到 VGS 不上不下 的尷尬情形  
有時還遇上 前後夾擊 馬達負載啟動電流大  將前述源頭電壓拉低

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發表於 2023-11-15 20:11:20 | 顯示全部樓層
SIMON1016 發表於 2023-11-15 06:30 PM
N-MOS  當VGS 達到  DS導通條件時   電流D流向S   也可以S流向D
這個例子就是 S流向D  (電晶體就不行囉)

用 Nmos 做 HighSide Switch 的確有很多陷阱 ,

如你所說的  ON/OFF 異常不確實而導致炸管 ,

最容易炸管的時機點 , 就是上臂與下臂的 DeadTime Zone 出問題 .

還好本例較為單純 , 用 Pmos 做 HighSide 用 Nmos 做 LowSide 會令事情清爽些 ,

這是沒辦法的 , Nmos 相對成本較低 , 不是量產我們就無須糾結成本吧 .

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 樓主| 發表於 2023-11-15 20:13:15 | 顯示全部樓層
yoweichan 發表於 2023-11-15 11:04 AM
這兩個電路是電源設計中很常見的電路

NMOS 型態通常用在電池保護板

請問那如果用PMOS,可改善嗎?
發表於 2023-11-15 20:53:03 | 顯示全部樓層
本帖最後由 tonysun 於 2023-11-15 08:58 PM 編輯

Enhancement-Mode-MOSFET-Symbols-1.png
En-MOS-P-N-2.png

MOSFET 圖示看來好像很複雜,一開始容易搞不清楚,現在簡單說明如下:

各符號中的箭號總是由P指向N

中間那一段其實就是代表 body (substrate) ,所以箭頭指向與右邊單獨畫出的那個 body diode 是一致的。

N 通道的通道是 N ,所以圖中是由 body 指向通道
P 通道的通道是 P,所以圖中是由通道指向 body

Gate 與通道隔了一層的絕緣,所以是分開的。

N 通道的 G 加上足夠正電壓,讓G對面的通道中,由D到S間的負電子(N)聚集起來,通道就開通了。

由於電子的活動性比電洞好,所以N通道MOS的特性比P-MOS好,所以N-Ch MOSFET用得比P-Ch MOSFET多

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 樓主| 發表於 2023-11-16 09:00:45 | 顯示全部樓層
感謝您的詳細解說,聽懂一半以上了,有實際運用再加上慢慢消化,應該沒問題,謝謝您!感恩~~~
發表於 2023-11-20 23:59:34 | 顯示全部樓層
你需要的是2顆 mosfet 背靠背的做法。

https://www.powerctc.com/en/node/5508

https://electronics.stackexchang ... hese-dual-fets-work

https://electronics.stackexchang ... power-switching-mos

電池充電 ic 裏都有參考電路,雙 p 比較簡單 。 雙 n 需要 boost 電路。

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 樓主| 發表於 2023-11-21 10:30:28 | 顯示全部樓層
jojoling 發表於 2023-11-20 11:59 PM
你需要的是2顆 mosfet 背靠背的做法。

https://www.powerctc.com/en/node/5508

謝謝老師,研究了3-4小時搞懂了,我是用穩壓二極管+電阻把G極限制在6.8V以內,防止較高電壓倒灌,只適合短時間接錯,如果長時間會出問題,您提供的這種電路就很完美了。
謝謝老師!感恩~~~
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