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有關N MOSFET的使用問題

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發表於 2021-8-1 22:14:37 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
請教各位先進,小弟不是電子本科,但因工作關係,必須解決下列問題。
我使用MOSFET當作驅動DC有刷馬達的開關,並使用單晶片控制,馬達的正逆轉依靠2個RELAY換向。MOSFET的規格為Vds=100V,Id=65A,Vgs=20V (CEP100N10L ) 問題如下:
1. 供給給MOSFET的Vgs若是超過20V(實際為24V),由於是電感性負載,MOSFET ON時,CPU會重開機,但是若降低負載就不會。顯然是干擾的問題。但是若改用Vgs=30V規格的MOSFET就不會重開機,運轉正常(使用EMD50N15,但是已經沒貨源)
2. 系統電壓是DC24V-DC32V間,馬達運轉的最大電流不會超過20A,運轉時間在1分鐘左右(每10分鐘),這樣應該選用怎樣規格的MOSFET?

謝謝
發表於 2021-8-2 08:23:36 | 顯示全部樓層
本帖最後由 Ricky 於 2021-8-2 08:27 AM 編輯

CEP100N10L的Vgs(th) 最大是3V ,也就是VGS超過3V MOSFET就會導通,用電阻分壓去控制VGS電壓在5V~10V這區間.
發表於 2021-8-2 10:00:54 | 顯示全部樓層
1.請貼出參考線路圖.
2.線路是以RELAY去驅動MOSFET?
發表於 2021-8-2 11:01:23 | 顯示全部樓層
本帖最後由 jojoling 於 2021-8-2 11:03 AM 編輯

MCU->H-Bridge/Full Bridge->MOSFET.

Example: H Bridge
IR2013
IR2014
............

Full Bridge
https://www.infineon.com/cms/en/ ... ull-bridge-drivers/
發表於 2021-8-2 11:46:57 | 顯示全部樓層
本帖最後由 阿明先生 於 2021-8-2 11:54 AM 編輯

DC有刷馬達運轉,本身碳刷的火花就會產生雜訊干擾,電感性負載的繼電器接點,接點火花也是突波干擾源,MOS晶體切換沒火花反而干擾比較少,單晶片程式先用繼電器切換正逆轉,程式延遲一時間確定繼電器接點切換完成, 然後程式才使MOS晶體起動馬達轉動(讓繼電器接點沒火花),還有DC有刷馬達起動瞬間電流極大,是否瞬間電流過大瞬間電壓下降,讓單晶片當機,加大單晶片濾波電容,穩定單晶片電壓試試
發表於 2021-8-2 12:10:04 | 顯示全部樓層
大家比較善良,這是好事,不過有時候也會有些障礙。凡事無完美。

我這個人比較奸偽。看到樓主發這個問題,第一個想到的就是:這是工作職務上要做的事情嗎?我假設不是的話,這應當要去找公司的硬體攻城獅來處理。如果沒有這個職務的話,那就請老闆加個職缺,也有人搞外包,不然獅子被當成狗子用……總而言之,不在其位則不謀其政。

自己玩的話可以另當別論。
發表於 2021-8-3 15:19:23 來自手機 | 顯示全部樓層
起動電流過大造成壓降,如樓5所訴加濾波電容外,單晶片供電並濾波電容再串二極體(最好是低壓降的)效果會更好好;還有電感性負載OFF瞬間時會有反向電動勢,不知您是否加裝RC拑制保護,對電路會比較好。
發表於 2021-8-3 20:23:00 | 顯示全部樓層
土法煉鋼  用光偶隔開  
單晶片數位控制電路 電源D_Vcc與地D_GND
MOSFET 馬達 另一組 電源P_Vcc與地P_GND

分割 兩組獨立電源/GND 老死不相往來  有干擾也越不了光偶隔離
所謂土法煉鋼  抓不出避不開 干擾源與途徑的投降措施  用金錢成本去堆

若是PWM 有速度因素 則考慮高速光偶
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