光阻厚度 與線寬

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如題，最近在實務上遇到了困難，上級要求我告訴他5nm製程的光阻應概要多厚?
光阻劑示意圖


上網找只找到公式，但沒有具體說明

苦思許久，也翻了書，依舊沒有答案，這恐怕是個複雜的問題
希望各位高手能解答在下的疑惑!

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最後一張圖實在刪不掉，請各位見諒

專炸元件

5nm  您是台積電的員工嗎   
我記得這要用EUV的曝光機才能做了吧

最小線寬取決於  曝光光源波長 波長越短可以取得更小線寬
厚度我不知道  我不是半導體從業人員
我想也許可以......
比對其他製程的參數    從45nm開始收集資料  看看想做的越小這些參數會發生哪些改變

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專炸元件 發表於 2020-1-1 04:32 PM
5nm  您是台積電的員工嗎   
我記得這要用EUV的曝光機才能做了吧

謝謝您播空回答我的問題，我會繼續研究

IKURA

如同二樓所說, 現在世界上能做或是聲稱要做5nm的屈指可數, 您在這裡問這個問題難保不被盯上.
話說回來, 以在下所知, 您上級的要求根本不是一個會被討論的問題,
因為以您所問的內容大部份的人都會想成是要找出最薄的光阻膜厚.
實際上以半導體製程的常識來說, 光阻膜厚是越薄越好, 只不過以現在的技術沒辦法塗的又薄又均勻而已.
換句話說, 光阻膜厚的均勻度比厚度重要, 所以沒人討論或是在意厚度.

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IKURA 發表於 2020-1-2 02:57 PM
如同二樓所說, 現在世界上能做或是聲稱要做5nm的屈指可數, 您在這裡問這個問題難保不被盯上.
話說回來, 以 ...

相當感謝您的回覆，祝您新年快樂。人偶爾還是會犯一些疏失....... 話說製程真的相當深澳....

SIMON1016

光有繞射特性  物理試驗常用狹縫開口探討  請GOOGLE 圖片: 光 繞射

光罩的開口 OPEN MASK 區域如同上述狹縫開口
光罩下方預期是不被曝光     光從開口區繞射進來 導致有效曝光

光阻 厚度  表面與底面 受到的能量不同

用這繞射 受能深度 解釋
以側向切面 觀察光阻 起光反應地方  不會等同於光罩區 而且 光阻上下線寬不同呈現梯形
正型光阻呈現正梯形  
負型光阻呈現倒梯形
.....................................這裡具體參數  要找光阻供應商談

MASK/OPEN  這點垂直下來  向內測被咬進去的梯度  稱為 under cut
為了得到目標線寬 需要補償光罩的線寬

線寬 也是在說 線距   , 愈小表示著補償空間被壓縮

就光阻而言 需要降under cut  就是減少厚度  獻給製程需要

厚度多少為合理值  問的是 under cut 與誤差反推  均勻度需要
或說 厚度均勻度能獻祭多少

我畫的簡圖如下   具體參數 密


教科書應該是不會畫成梯形 解釋補償量  
因為具體參數業界機密

別嫌了!! 世界最著名的十大畫家，都沒我畫的好看
因他們臨終前都不知道半導體...

xiaolaba

5nm.....很快就被挖腳了, 你知道就自己守著, 不要跟人說
或者用 Orifice plate 的模型解說

antlu

上級要求我告訴他5nm製程的光阻應概要多厚?  你的上級要考你吧! 光阻的厚度應該是要抵抗"蝕刻"的吧! 誠如 IKURA 大大所提,均勻度比較重要,..我以前遇到的都是 微米級 或是次微米級的,.. 膜厚要抵抗蝕刻,又要曝光時間短,還有解析度的問題...還真不容易回答!!