三極管BE結連在一起, 到底是甚麼設計呢

xiaolaba

以前學習過, JFET 的 DS 連在一起就是一個超低漏電流的DIODE, 據說一般DIODE是nA級, 這種JFET短接DS是 pA 級以下, 既能夠保護OPA輸入端, 又不會影響測試訊號. http://www.ti.com/lit/an/sboa058/sboa058.pdf

也看過這裏前輩演示 BIPOLAR TRANSISTOR 接通 BC 腳成為高壓的 ZENER DIODE 的用法, 所以DMM裡面都有兩個, https://bbs.pigoo.com/thread-71102-1-1.html

後來又拆了一個表, 粗略測試 1K 到 1000G 電阻的, 裡面是專門的IC, HZR-301, 找不到資料的, 很可能是 LOG AMPILIFER. 不過輸入端有另外一種設計, Q1 和Q2, 印字都是 KSP10, 應該兩個 NPN, 它的設計是 BE 連在一起接到輸入端, C腳接地, 看不懂原理.

KSP10_BE_CONNECTED_WHY

看了 ANALOG 的解說, 沒有接近的,
https://wiki.analog.com/university/courses/electronics/electronics-lab-3

找到的網路資訊, 認為是最有可能接近的解說,
https://electronics.stackexchange.com/questions/50633/usage-of-a-transistor-configured-as-diode

DIODE TRANSISTOR xiaolaba

偶是既沒有精密儀器, 也沒有工具實驗, 純粹想學習它的原理, 大俠們給指點指點它的設計目的為何.

yang4

剩下的就是B-C,逆偏壓當然可以是Zener,但變動頗大;順偏的話則可以做溫度補償,其實只要是相同材質則溫度係數是相同的

jojoling

BE短路，其實就是確保 CB 通道的工作條件為 Vbe = 0v，不會有 CE 通道的分流。

tonysun

三用表的輸入端是高阻抗，輸入訊號可能是直流也可能是交流。

在輸入端所加上的任何保護元件，它的漏電電流、電容量、頻率特性，都會對輸入訊號與量測結果產生影響，因此，希望保護元件對量測所帶來的影響越小越好。尤其是越精密的三用電表更有此需要。

電晶體當作二極體時，它的逆向漏電電流與電容量，比起一般二極體小很多，恢復時間也更短，因此會使用電晶體當作二極體用。有這樣的特性，原因之一應該是電晶體的基極是非常薄的。而ZENER在這幾項上數值更大，更不用比了。

那個英文文章有說，存在逆向漏電更小的JFET，只是價格昂貴且稀有。