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如何測量電晶體性能的方法

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發表於 2007-11-23 21:12:00 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
1.反向擊穿電流的檢測:普通電晶體的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量電晶體發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時,將萬用表置於R×1k檔,NPN型管的集電極C接黑表筆,發射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆,發射極E接黑表筆。
    正常時,鍺材料的小功率電晶體和中功率電晶體的電阻值一般大於10Kω(用R×100檔測,電阻值大於2kΩ),鍺大功率電晶體的電阻值為1.5kΩ(用R×10檔測)以上。矽材料電晶體的電阻值應大於100kΩ(用R×10k檔測),實測值一般為500kΩ以上。
    若測得電晶體C、E極之間的電阻值偏小,則說明該電晶體的漏電流較大;若測得C、E極之間的電阻值接近0,則說明其C、E極間已擊穿損壞。若電晶體C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多,則說明該管的熱穩定性不良。
   也可以用電晶體直流參數測試表的ICEO檔來測量電晶體的反向擊穿電流。測試時,先將hFE/ICEO選擇開關置於ICEO檔,選擇電晶體的極性,將被測電晶體的三個引腳插個測試孔,然後按下ICEO鍵,從表中讀出反向擊穿電流值即可。
    2.放大能力的檢測:電晶體的放大能力可以用萬用表的hFE檔測量。測量時,應先將萬用表置於ADJ檔進行調零後,再撥至hFE檔,將被測電晶體的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中(採用TO-3封裝的大功率電晶體,可將其3個電極接出3根引線後,再分別與三個插孔相接),萬用表即會指示出該管的放大倍數。
    若萬用表無hFE檔,則也可使用萬用表的R×1k檔來估測電晶體放大能力。測量PNP管時,應將萬用表的黑表筆接電晶體的發射極E,紅表筆接電晶體的集電極C,再在電晶體的集電結(B、C極之間)上並接1只電阻(矽管為100kΩ鍺管為20 kΩ),然後觀察萬用表的阻值變化情況。若萬用表指標擺動幅度較大,則說明電晶體的放大能力較強。若萬用表指標不變或擺動幅較小,則說明電晶體無放大能力或放大能力較差。
    測量NPN管時,應將萬用表的黑表筆接電晶體的集電極C,紅表筆接電晶體的發射極E,在集電結上並接1只電阻,然後觀察萬用表的阻值變化情況。萬用表指標擺動幅度越大,說明電晶體的放大能力越強。
    也可以用電晶體直流參數測試表的hFE/測試功能來測量放大能力。測量時,先將測試表的hFE/ICEO檔置於hFE–100檔或hFE–300檔,選擇電晶體的極性,將電晶體插入測試孔後,按動相應的hFE鍵,再從表中讀出hFE值即可。
    3.反向擊穿電壓的檢測:電晶體的反向擊穿電壓可使用電晶體直流參數測試表的V(BR)測試功能來測量。測量時,先選擇被測電晶體的極性,然後將電晶體插入測試孔,按動相應的V(BR)鍵,再從表中讀出反向擊穿電壓值。
    對於反向擊穿電壓低於50V的電晶體,也可用圖5-58中所示的電路進行測試。將待測電晶體VT的集電極C、發射極E與測試電路的A端、B端相連(PNP管的E極接A點,C極接B點;NPN管的E有接B點,C極接A點)後,調節電源電壓,當發光二極體LED點亮時,A、B兩端之間的電壓值即是電晶體的反向擊穿電壓。
發表於 2011-1-31 10:02:15 | 顯示全部樓層
謝謝,基礎工必要知識,一點一滴慢慢吸收, 感謝.
發表於 2011-2-15 17:46:12 | 顯示全部樓層
感謝
正努力吸收中
發表於 2011-3-24 00:57:07 | 顯示全部樓層
很詳細
感謝
發表於 2011-4-16 12:51:54 | 顯示全部樓層
謝謝大大分享
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