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請教關於PWM波形的問題

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發表於 2019-2-14 16:58:23 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
午安,請教這個PWM的方波是什麼原因造成前面突起,有辦法改善嗎?


測量點是電阻2端,負載是LED。
MWSnap222.png
發表於 2019-2-14 17:30:21 | 顯示全部樓層
overshoot 通常是串電阻改善~可以試試15ohm
發表於 2019-2-14 20:43:01 | 顯示全部樓層
1. 示波器探棒 校正過了沒 ? x1不需校正 ,  x10 需校正
2. 探棒校正後還有    LED 有併電容 ?

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 樓主| 發表於 2019-2-14 22:55:24 | 顯示全部樓層
感謝各位的回覆,因為沒有示波器所以只是用簡易的兩條線接上電腦顯示波形而已,另外有用555產生PWM方波作為參照組,所以才覺得長得不大一樣。

用電阻接在輸入端後,突起物有改善了一點,但是好像電阻歐姆值越大,波形就越抖,而在並了一個電容後,突起物變大了??
PWM的產生源是arduino


下圖是未串阻尼電阻前,
org.png

下圖是串了100ohm的電阻
100r.png

下圖是又並了一個104的電容
104.png

下圖是555對照組
555.png



發表於 2019-2-16 00:18:50 | 顯示全部樓層
你找台真的示波器試試。
發表於 2019-2-16 00:42:45 | 顯示全部樓層
jasonboy99 發表於 2019-2-14 10:55 PM
感謝各位的回覆,因為沒有示波器所以只是用簡易的兩條線接上電腦顯示波形而已,另外有用555產生PWM方波作為 ...

方波 加至 5V 看看怎樣 ?
 樓主| 發表於 2019-2-16 15:40:40 | 顯示全部樓層
謝謝各位大大的建議,昨天重接一次後雜訊改善很多,唯獨overshoot始終存在,雖然沒有什麼影響,基於好奇下還是在網路上查找了一下,發現國外也有人在討論這塊板子的overshoot問題,串電阻和並電容的確可以大大改善但無法完全消除,也有更多建議是示波器端探棒、導線的問題,也有說是gibbs現象,
找了幾支arduino PWM的影片來看,發現他們的波形多少都有overshoot,在高頻時zoom-in看得很清楚,雖然不知是什麼原因,但我想也許在arduino上大概是正常的。



下面是從幾個老外的影片中截的圖

1.png

2.png

scope-screen-edge-rising.gif



發表於 2019-2-21 09:39:12 | 顯示全部樓層
電源正負線 太長, arduino板上 VCC-GND 要加一個漣波(去偶)電容
LED 與 電阻 線路太長也會 ,
以上講的 背後概念 是 線路太長 有電感電阻效應
 樓主| 發表於 2019-2-21 19:59:30 | 顯示全部樓層
SIMON1016 發表於 2019-2-21 09:39 AM
電源正負線 太長, arduino板上 VCC-GND 要加一個漣波(去偶)電容
LED 與 電阻 線路太長也會 ,
以上講的 背後 ...

謝謝SIMON1016大,今天測試了一個原本有嚴重雜訊的輸出,在電源端試著加上幾種電容後,觀察它們的波形發現有巨大的改變。亂跳的雜訊神奇的消失了。這樣一來Arduino應該可以清楚的讀出信號了。



原本的信號
MWSnap237.png


加了0.1uF
MWSnap238.png



加了1uF
MWSnap239.png



加了10uF
MWSnap240.png
發表於 2019-2-21 22:37:21 | 顯示全部樓層
請問一下你測試電路的電源是那種?

這個問題只看波形的話,只能得知是在導通瞬間的電阻上電流變大。
原因有滿多的。
可以改用線性電源看看~

ps:
https://electronics.stackexchang ... how-do-i-prevent-it
此連結上有一個例子也會發生這個問題。
此例可直接調整雲端上電路電阻 R2 降到100 or 1k,確保 mosfet 可以快速被關閉(快速通過mosfet的電阻區)。
 樓主| 發表於 2019-2-22 13:19:01 | 顯示全部樓層
jojoling 發表於 2019-2-21 10:37 PM
請問一下你測試電路的電源是那種?

這個問題只看波形的話,只能得知是在導通瞬間的電阻上電流變大。

謝謝jojoling大的釋疑,測試電路是一個靜電感測器(電路如下,測量點是LED兩端),原本是想說能不能給Arduino作為感測開關用在電器上,未加電容前只能讀出0.5V~1.0V之間作為開關好像不適合,但加了電容後卻可讀到0V~2V,

MWSnap241.png



您給的例子中的電路圖看了很久還是不明白,請原諒問了一些白痴問題,小弟把它的電路圖繪出如下,不大明白的是R2的作用什麼? 為何降低電阻就可以加速MOSFET的開關?

MWSnap243.png
發表於 2019-2-22 22:59:55 | 顯示全部樓層
jasonboy99 發表於 2019-2-22 01:19 PM
謝謝jojoling大的釋疑,測試電路是一個靜電感測器(電路如下,測量點是LED兩端),原本是想說能不能給Ardui ...

moset 有3個工作狀態,截止區,線性區(三極區或歐姆區)與飽和區。
mosfet當開關是用於截與止區飽和區,Vgs 上並連的電阻改小是讓mosfet從飽和區加速通過線性區而進入截止區。
常用控制功率mosfet會用push pull 加大信號電流,快速充飽 mosfet Vgs 間的內部電容(Cgs),使其啟動與關閉時時快速的穿過線性區。
發表於 2019-2-22 23:11:40 | 顯示全部樓層
你的靜電感知電路設計的有點怪
 樓主| 發表於 2019-2-23 00:58:16 | 顯示全部樓層
本文章最後由 jasonboy99 於 2019-2-23 01:09 AM 編輯
jojoling 發表於 2019-2-22 10:59 PM
moset 有3個工作狀態,截止區,線性區(三極區或歐姆區)與飽和區。
mosfet當開關是用於截與止區飽和區, ...


原來如此,以小弟的程度只能猜測R2是多餘的,經您的解說稍微明白了一些,R2是用來加速g關閉的,push pull就真沒辦法了,得再回去練練。

那個靜電電路出處是這裡project 3 static detector
那個,負極畫錯,因不用eagle就沒改了
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