本文章最後由 ccbruce 於 2018-11-14 10:59 AM 編輯
這是我設計的, 由12V升到190V的34063電路
測試結果:
1. 空載電壓: 199~200V
2. 以7.7Kohm 10W電阻當負載, 電壓降至190V, 電流為24.5mA, 輸出功率是4.655W
3. 輸入為12V, 電流為530mA, 輸入功率是6.36W
4. 效率為73%
5. 加載後15分鐘溫度: 電感35度, 二極體30度, NMOS約50度
零件選取及設計理念:
1. L1為150uH / 3A /工字電感(9*12mm)
2. C2為1nF層積電容; Fmin=30KHz, 頻率超過人耳聽得到的頻率, 就算電感吱吱叫也聽不到
3. Q5為7N60C
4. Q5的G極加上放電回路加速放電
5. D3使用超快速回復二極體HER308; Trr=75nsec, 以Fmin=30KHZ來說, 遠小於一週期所需時間
問題:
1. 為何空載時電壓比設計值高那麼多?
2. 效率可以再提升嗎? AN920有提到ratio extender, 但我加上去後電壓升得更高, 而且Q5發熱
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