TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) 溝槽MOS屏障肖特基整流二極管?

peter5438

我已經知道肖特基二極管了...現在又跑出來一個新名詞: [溝槽MOS屏障肖特基] 是什麼鬼東西? {:14_1477:}

有哪一位好心的先生知道有什麼不同? 有沒有一個比較簡單的說明方法???

TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) 溝槽MOS屏障肖特基?  
TMBS®, Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers Address Weaknesses of Traditional Planar Schottky Devices.        https://www.vishay.com/docs/89106/an_tmbsrecaddweak.pdf  
an_tmbsrecaddweak.pdf (166.96 KB)

2017-10-31 01:46 AM 上傳

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Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers
https://www.youtube.com/watch?v=ByPq3i00nHE


#201: Basics of Reverse Recovery Time in a Diode
https://www.youtube.com/watch?an ... U&v=SBqLOrlA7QI


#118: Basics of PIN diodes and their use in RF switch applications
https://www.youtube.com/watch?v=XpYsCM_Wf50

scottwang

你又來送宵夜了,我也第一次聽到這個新零件.

專利摘要

本發明係有關於一種帶有整合肖特基能障二極體的溝槽MOSFET器件,其中肖特基二極體包括一個形成在半導體襯底上的半導體層;形成在半導體層中的第一和第二溝槽,其中第一和第二溝槽內襯薄電介質層,並用溝槽導體層部分填充,第一電介質層填充第一和第二溝槽的剩餘部分;以及一個形成在第一和第二溝槽之間的半導體層頂面上的肖特基金屬層。所形成的肖特基二極體中,肖特基金屬層作為陽極,第一和第二溝槽之間的半導體層作為陰極。每個第一和第二溝槽中的溝槽導體層電連接到肖特基二極體的陽極。在一個實施例中,所形成的肖特基二極體與溝槽場效應電晶體整合在同一個半導體襯底上。
帶有整合肖特基能障二極體的溝槽MOSFET器件.

peter5438

大哥!        我的頭一個兩個大...你還給我一個新發明新專利的新名詞....  [帶有整合肖特基能障二極體]  

溝槽MOS屏障肖特基整流二極管: 能夠承受較高能量瞬變的能力反向偏移是TMBS結構的另一個優點。
傳統平面肖特基的最強電場整流器在器件的表面，這將限制熱量耗散和雪崩能量吸收。 最強相比之下，TMBS設備的電場分佈在
每個溝槽的底部都很好。 因此，矽體可以吸收和消散更多的雪崩能量.

The ability to withstand higher energy transients during reverse bias is another advantage of the TMBS structure.
The strongest electric field of a conventional planar Schottky rectifier is at the surface of the device, which will limit heat dissipation and avalanche energy absorption. The strongest electrical field of a TMBS device, by contrast, distributes at the bottom of each trench well. The silicon bulk can thus absorb and dissipate more avalanche energy than at the surface.

scottwang

peter5438 發表於 2017-10-31 02:13 AM
大哥!        我的頭一個兩個大...你還給我一個新發明新專利的新名詞....  [帶有整合肖特基能障二極體] ...

沒有關係啦,我有請Eric幫你補腦啦 ...

kip

1. 半導體元件中，其實真正的基礎接面只有以下四種 (1) PN 接面 (2) 金屬半導體接面(Schottky diode) (3)Heterojunction interface, (4) Metal-oxide-semicondutor(MOS)

2. Schottky diode 的接面: 金屬、半導體接面有著1. 低接面電容，2. 高漏電流，(3)耐壓不高 (<200V)
但是若將 Power MOSFET 中，Gate 接 Drain，在導通過程中，只要很低的驅動電壓、就可以流過很大電流，On的時候，電阻是 Rds_on。但若關斷時，就可以把它當作是逆偏下的二極體。Drain -Source 耐壓可以達到60~900V。而且 Idss 很小。但接面電容就是Coss。

3. Trench MOSET 結構是要避免平面式Power mosfet 的寄生 J-FET 造成的電阻，降低 Rds_on。

OK, TMBS 到底要搞甚麼? 就把它視為一般二極體即可。但是它有著很低的 VF，很高的耐壓、很低的導通電阻.
應用在哪?  手機快速充電電路中的 Rectifier。

kip

此處 rectifier 指的是二次側的整流二極體。一般二次側使用蕭基二極體整流。
使用TMBS 除了更低的VF, 還有更快的切換速度，切換損也降低。
所以，
低VF --> 降低導通損。
高切換速度 --> 降低切換損。

PS: 順道一提
二次側電源的演進: 傳統蕭基二極體整流  --> 同步整流 -->TMBS 整流(進階版的同步整流)