IGBT與MOSFET的差異及使用時機

ciko.ciko

1.有時常常搞不清楚在電路中如何決定使用高壓功率型(>600V)IGBT或MOSFET元件,你可拿一般IGBT的Vce(sat)壓降約2-3V,與MOSFET的Rds(on)作比較,在通以工作電流後,你便可求出各別元件的消耗功率來做選擇.通常高壓功率型MOSFET的Rds(on)約0.7-0.9歐姆,這也是為何IGBT適用於高電壓及高電流的工作條件.
2.或許有同學會問,印象中不是說MOSFET的Rds(on)電阻,只有幾個毫歐姆嗎?是我記錯了嗎?這個問題你沒記錯,只是這規格大部分是適用於低電壓(一般<50V)高電流,如主機板上的CPU供電MOSFET,或高壓低電流(<10A)元件.
3.綜合以上說明,在電路設計上應先確定工作電壓及電流的高低,選擇適當的元件,減少元件熱損,常能確保電路的穩定性.
4.至於輸入控制信號需不需要增加額外的驅動電路?此與工作頻率及元件所處位置有關(High side或Low side),詳情請參考影片中的說明,並感謝您的收看.

all666

請問高壓功率型(>600V)MOSFET元件的驅動電路, 是否可將MOSFET元件換成IGBT元件?

ciko.ciko

all666 發表於 2017-8-13 10:46 PM
請問高壓功率型(>600V)MOSFET元件的驅動電路, 是否可將MOSFET元件換成IGBT元件?

根據影片中的說法,它是可驅動IGBT的,但一般IGBT的驅動電壓,除了導通時需和MOSFET一樣提供正電壓外(N-CHANNEL),較特別的是IGBT的截止,通常是需要加上逆偏的(-5到10V間),故市面上也有專供IGBT使用的驅動芯片,這樣可提高其較高速的工作頻率(視需要而定).

pponline999

小弟偷偷收藏了
慢慢消化

peter5438

all666 發表於 2017-8-13 10:46 PM
請問高壓功率型(>600V)MOSFET元件的驅動電路, 是否可將MOSFET元件換成IGBT元件?

是的非常的適合, 但是頻率要低於200KHZ. 現在快要停產的電漿電視. 裡面的驅動電路幾乎全部從MOSFET都改成IGBT了.

jackywu

先收下了~
慢慢研究中