請問電路無法使用，怎麼改才可以呢？

黃莫言

請問各位大大：

小弟很久沒碰電子相關方面的，以前是做過維修，後來都跑去機構方面打滾。
最近家裡想控制一些馬達裝置，
但小弟去看零件規格書，也去買了零件回來插麵包板，
但就是無法控制馬達轉動 。

想請教大大們這張圖哪裡出了問題，
怎麼修改才行呢？
非常感謝




相關零件規格書如附件

c945.pdf (745.15 KB, 下載次數: 28)

2016-5-18 02:27 PM 上傳

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irf540n.pdf (102.87 KB, 下載次數: 30)

2016-5-18 02:27 PM 上傳

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scottwang

標題要改一下跟你的求救內容一樣的,如:8951經過n mosfet無法推動馬達.

你的兩個的ports輸出加diode和那些電容的目的是做什麼?

不動作的一個原因是使用8951的port 0做輸出,另一個原因可能是port輸出後經過diode和電阻或電晶體,以致電壓下降太多,導致Vg的電壓不足,你可以測量Vg的電壓看看多少?

你可以試試先直接把兩個port的輸出直接加到mosfet的g極,並不經過任何的其它元件,記得8951不能用port 0,它是開D極的輸出open D.

jason680

IRF540N VGS規格書上用10V
直接VDD(12V)---電阻---Q1 VG (試試看馬達會不會動---線路沒有接錯/設備沒損壞...)

接下來,就是要提升VGS(電壓控制)....(ON=10V, OFF=0V)

另外你的線路是自已想的,還是參考什麼來的...感覺怪怪的...
用PNP(+NPN)來控制VGS應該會好一點...

ysc

先不管開關反應速度，您的電路無法滿足IRF540基本開關準位需求.......

89C51輸出HI時電壓是多少？您是否測量過？經過二極體、C945 B-E 到達 IRF540時電壓又剩多少？至少會壓降1V以上，不到4V的電壓如何驅動IRF540？

所以您必須想辦法設計電路，讓89C51輸出不到5V的HI轉換成10V以上，這樣才能正確驅動IRF540。

還有一個問題，89C51 I/O腳電氣特性要先弄清楚，89系列I/O腳是準雙向(假雙向)結構，P0,P1,P2,P3輸出結構都不太一樣，共同特點是HI輸出時驅動能力很差，所以我都習慣設計成輸出LOW=ON HI=OFF。

所以還是設計成89C51輸出LOW時讓IRF540 ON比較好，因為89C51 RESET之後所有I/O都內定為輸入，若有提升電阻會讓該腳位輸出HI，這在開機時會讓馬達變成驅動狀態。

bobbie_168

不需搞這麼複雜
要8951控制 接到P1.x(0~7),(也可用P3.x(0~7)
何況只要馬達動作 用NMOS或NPN皆可(但須注意耐電流),P1.x接電阻在到晶體即可
D2,D4,C1,C2,C3,C4,R2,Q2都可刪除

黃莫言

感謝各位的回覆，小弟有一一認真看，
因為實在很久沒接觸到電子學了，這圖是憑過往印像畫出來的。
8951是後續要研究寫控制用的，目前還沒寫，

目前有在修改測試電路，B圖我是直接偏壓VGS，因為有大於10V，所以馬達可以動作，
但A圖才是我主要想控制的方式，

目前是以2SC1384來取代2SC945，因為發現1384 vce可以到10v
但實際A圖接，發現1384 vce依然只有5v，一直無法提升到10v達到VGS需求，
在請各位大大幫忙解惑，
昨晚下班後弄了一個晚上，依舊失敗，
若是我把BJT換成光耦合器會比較方便，或是有N-MOSFET有VGS 5V驅動而VDS是12V 3A的型號
請各位大大幫忙，非常感謝



2SC1384.pdf (94.86 KB, 下載次數: 5)

2016-5-19 05:17 PM 上傳

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SIMON1016

實際A圖接，發現1384 vce依然只有5v，
  => 對GND/MOS_S而言 ，   因為 給B的電壓只到5v ，所以E的電壓不會比5v(沒法比B 還高)
       MOS_GS  的電壓就拉不上去



google  [n mosfet low vgs ]  應該有答案
例如:  https://www.fairchildsemi.com/datasheets/FD/FDN327N.pdf
(如果有 廢棄舊PC主機板  上面CPU 供電 的MOSFET 通常就是低壓驅動)

換成光耦合器 也是OK




另外提醒
不管哪種做法   MOS_GS 高阻抗有雜散電容
  額外並一 10K ohm 電阻 , 前端OFF 時  該電阻協助GS放電 OFF

ysc

黃莫言 發表於 2016-5-19 05:18 PM
感謝各位的回覆，小弟有一一認真看，
因為實在很久沒接觸到電子學了，這圖是憑過往印像畫出來的。
8951是後 ...

電晶體電路結構與應用要先弄清楚，您目前2SC1384從E極輸出，算是射極隨藕電路結構，這種電路結構只會放大電流不會放大電壓，這是電路結構使然跟Vce無關，要放大電壓提升準位，不管NPN還是PNP電晶體都要從C極輸出。

準位轉換算是基本功，電路也不困難，請多蒐集資料加以消化，弄清楚了終生受用，直接給您電路反而沒幫助，加油囉！

再說一次，先把主要問題解決再說，加那些R-C是用來補償驅動速度可以先不要管它，以免模糊了焦點。

bobbie_168

若只是當馬達開關的話就用繼電器控制就好,一般用NMOS不需這麼高電位驅動,又不是PMOS,你把它複雜化了,這種電路網路搜尋一堆供你參考

golden

這樣應該就可以了

antlu

黃莫言 發表於 2016-5-19 05:18 PM
感謝各位的回覆，小弟有一一認真看，
因為實在很久沒接觸到電子學了，這圖是憑過往印像畫出來的。
8951是後 ...

b e 電壓要 0.7v 才會動作!! 而且 B要大於 E 喔!!

黃莫言

目前因為一直解不出來，所以應該先用繼電器先接，
只是繼電器的反應時間不夠快，
之後會再想想是不是把BJT的部分也改成用MOSFET LOW VGS來控制，
只是查過，好像沒DIP的，只有SMD的，而且ID好像也不太夠。
FDN327N.pdf (84.8 KB, 下載次數: 15)

2016-5-21 11:09 AM 上傳

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非常感謝上面給我意見的大大，把我記錯的電路觀念修正，
最近一直翻電子學課本，
只是沒法一蹴可幾....

fix2010

MOSFET属于压控器件。楼大用晶体管放大去控制它的栅极，而且是射极输出。。。要知道的是，晶体管导通是要一定的基级电流的，而MOSFET的栅极电流即使在其导通态时也很小！那您叫前级的晶体管怎么开闸？？？
正确的是，您应该在晶体管发射极对GND接一个负载电阻，这样才是正确的射极输出电路，当晶体管基级控制电压到后，B-E 极具备足够的控制电流而使晶体管完全导通，并使电源12V加在MOSFET栅极使其导通！

scottwang

fix2010 發表於 2016-5-21 01:34 PM
MOSFET属于压控器件。楼大用晶体管放大去控制它的栅极，而且是射极输出。。。要知道的是，晶体管导通是要一 ...

Vgs=10V的Mosfet,用Vin=5V,又是E極輸出,先天不良,再怎麼改都是不好的,即使可以動作也是不好的設計.

ysc

fix2010 發表於 2016-5-21 01:34 PM
MOSFET属于压控器件。楼大用晶体管放大去控制它的栅极，而且是射极输出。。。要知道的是，晶体管导通是要一 ...

從E極輸出，不可能讓電晶體飽和，輸出電壓一定是 B-0.7V，B極驅動來自5V系統，E極輸出電壓肯定不可能高於5V。
E極接地從C極輸出才有可能讓電晶體進入飽和狀態。

SIMON1016

N_MOS 換 NPN電晶體2SD965(TO-92) NPN 20V/5A/750mW
電蚊拍 常用

fix2010

scottwang 發表於 2016-5-21 05:22 PM
Vgs=10V的Mosfet,用Vin=5V,又是E極輸出,先天不良,再怎麼改都是不好的,即使可以動作也是不好的設計. ...

的确，这点我忽视了，谢谢大大指正。
我想，实在要改，看来最方便的还是将Q1 or Q2换成低栅压的MosFET——如果楼大执意要5V驱动的话。
但我不明白，他为何要通过5V驱动，看电路Q1的控制不过是S1合闸么？真这样，5V电路加Q2去控制Q1，不是多此一举？