變頻器中的並聯二極體選擇(Qspeed Diode)

ciko.ciko · 發表於 2015-5-24 10:27:13

本文章最後由 ciko.ciko 於 2015-5-24 10:38 AM 編輯

在變頻器中的輸出三極管(如MOSFET或IGBT)需並聯一個反向二極體,作為反向電壓(開關管截止時)的導通迴路,可避免該三極管因過壓擊穿.此關係到該二極體的反應速度及接面電容量,市面上有所謂的Qspeed Diode因此順應而生,其中的參數如Softness(類似阻尼作用),請參閱影片中說明.

並請留意影片中的效率問題.

phuang3 · 發表於 2015-5-24 13:33:07

多謝告知，這種二極體拿來音響使用應該相當不錯，只不過順向降壓有點高，電源利用率會被拉下來。

ciko.ciko · 發表於 2015-5-24 14:10:02

高耐壓的二極體,普遍存在較高的順向壓降,故其常應用在較高的偏壓下,這也是蕭特基與快速二極體的差異.

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[教學文獻] 變頻器中的並聯二極體選擇(Qspeed Diode)

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