請問MOSFET會影響電源供應器的輸入功率嗎??

mobetat52409

請教一下,我有一個電源供應器是Flyback形式,在一次測端有一個MOSFET,因為擊穿損壞我隨便拿了一顆代替
原本的MOSFET的規格是Vgs=30V,Id=11A,Vds=800V,我換的另外一顆是Vgs=30V,Id=5A,Vds=500V
我上網查有的人是說Vgs相同就可以了,可是我換上去之後,雖然撐一下下,但是最後還是燒掉了
是因為Id值太低嗎?一般迴路設計一次測的電流值應該沒有很高,請問這是什麼問題呢
謝謝

mobetat52409

附註:我換了之後,我有儀器可測是輸入功率,但是會比原本的還要高

a471

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ysc

原本設計會用到11A有它的道理，這不僅是耐流大小的問題，更重要的參數是ON之後的導通電組。

另外，或許還有故障點沒找到，原本燒掉 MOS FET 的原因尚未排除。

nealxgs

5A和11A是有差距，還有Rds,on的大小也不同，不過我不認為這是燒掉的原因耶。

架構是有上下半橋的H型還是單顆MOS呢？

建議用示波器看一下上半橋的MOS和下半橋的MOS有沒有同時導通，你那顆MOS會燙應該是同時導通了，所以會有大電流從B+直接到Ground

同理，如果是單顆MOS，你要檢查那顆MOS的負載（可能是一個變壓器）有沒有融掉，有的話就是阻抗變太低，通過MOS的電流自然太大了！

lazy104

耐壓也有影響, 500V 跟 800V 有很大的落差, 要看電路結構~~~
我比較傾向 4# ysc 版大說的 "或許還有故障點沒找到，原本燒掉 MOS FET 的原因尚未排除"

kip

Vds 耐壓 800V 變 500V
Id 11A 變 5A.

Flyback topology. MOSFET在切換時會產生很高的突波電壓。
我只能講，SPS內有很多東西是需要經過計算。沒有計算的基礎，只能憑經驗了。

mobetat52409

謝謝各位

我還是在找相同特性的MOSFET嘗試看看
因為起因並不是MOSFET問題,是二次測迴路二極體擊穿,然後再跟著燒掉FET,因為聽到兩聲爆炸聲,加上變壓器溫度異常升高,所以我想經過變壓器的電流應該很大,看過一些設計會在二次測變壓器後面加上消特基二極體,我那塊電路板迴路像那種形式,但是它是用一個SMD的二極體,我是做電器迴路測試,所以燒電路板難免,但我是隨便拿一顆其納二極體當一般二極體在使用(印象中老師說齊那二極體PN反向可以當一般二極體使用),不過我在嘗試看看

附註:不方便附圖是因為是商業機密,不是私人的,抱歉

雄爸爸

交換式電源的POWER MOS替換要注意的細節比較多
尤其是LLC諧振式的電路結構
因為POWER MOS它的總輸入電容量不盡相同
而且
你一開始試機時就已發現
輸入功率比正常時還高
表示需功率都被POWRER MOS吃掉了
既然有設備可查修,建議還是看看 Vgs  Vds 的波形吧

wish

不願意遵守版規就住小黑屋吧！

wish

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