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[電子儀表] 示波器量測電容跨壓的問題

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發表於 2014-7-26 17:26:31 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
本帖最後由 b20415 於 2014-7-26 10:17 PM 編輯

各位大大你們好
在下小弟想要利用示波器去觀察一顆電容的跨壓
但示波器一直顯示0V,想請各位大大們給點方向,謝謝!!

就是我們現在對一顆1pf的電容充電一段時間後再關閉電源(充電時間與充電能力皆為定值),用示波器觀察這顆電容的跨壓,但我們接上示波器後,電容的跨壓瞬間沒了(立刻放至零),猜想是不是電容透過示波器+碳棒迴路放電了(放電>充電)。

想請問各位大大的是
更換碳棒可以確實量測到1pf的電容跨壓嗎?什麼碳棒?或者有其他方法嗎?

發表於 2014-7-26 18:06:22 | 顯示全部樓層
本帖最後由 ysc 於 2014-7-26 06:09 PM 編輯

儀器輸入阻抗不是無限大,一般示波器配合探棒X1時輸入阻抗1MΩ,X10時是10MΩ,加上1PF所能儲存電量太小,探棒接觸瞬間電量早已放光,示波器當然觀測不出來。

可能見識不過多,還真想不出有什儀器能測出1PF電容充電電壓,這樣做有特別的用途嗎?


發表於 2014-7-26 21:19:37 | 顯示全部樓層
電源充電 假設是100V  在電容上  用示波器看 你只會看到一條直線
放電時  你會看到一條曲線 不可能一直在直線 因為內阻  除非你一直充電  如果有量測電壓掉更快

用儲存型示波器或是那種可以跟電腦連線即時記錄繪圖的那種吧   堅持1pF的話  先準備好20萬買示波器  在花1萬元買探棒吧

 樓主| 發表於 2014-7-26 22:10:29 | 顯示全部樓層
ysc 發表於 2014-7-26 06:06 PM static/image/common/back.gif
儀器輸入阻抗不是無限大,一般示波器配合探棒X1時輸入阻抗1MΩ,X10時是10MΩ,加上1PF所能儲存電量太小, ...

這是我們實驗室在做的一個電路"畫素記憶電路"
畫素要在偏壓下才會旋轉,進而控制液晶螢幕的透光率
那1pf是畫素的等效電容
所以要觀看的是當我們不持續給訊號時
畫素記憶電路能否給畫素一個固定的偏壓
發表於 2014-7-26 22:18:49 | 顯示全部樓層
1. 請參考電容器充放電的電壓與時間的變化曲線關係.
http://ezphysics.nchu.edu.tw/physiweb/down/html/RC.htm

2. 充電公式為計算式(6)
    放電公式為計算式(11)

3. 放電時間經5倍時間常數後,電容器兩端電壓約為0.
    5倍時間常數=5*R*C=5*1M*1p=5uS
   意思是說電容器兩端電壓,在接上示波器探棒後的5uS,其兩端電壓已降為0.這麼短的時間,一般式波器是無法觀測的.

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發表於 2014-7-27 01:00:17 | 顯示全部樓層
本帖最後由 ysc 於 2014-7-27 01:06 AM 編輯
b20415 發表於 2014-7-26 10:10 PM static/image/common/back.gif
這是我們實驗室在做的一個電路"畫素記憶電路"
畫素要在偏壓下才會旋轉,進而控制液晶螢幕的透光率
那1pf ...


這種需求用一般儀器是檢測不出來的,LCD面板業界應該有專用的儀器或設備來測試,這種很極端的條件就是該業界的know How。

發表於 2014-7-27 13:50:28 | 顯示全部樓層
本帖最後由 SIMON1016 於 2014-7-27 01:13 PM 編輯

你這樣的電路  跟DRAM Reflash的電路 很接近  或說根本就是
DRAM  使用MOS陣列上的Gate 閘極等效電容 作為記憶電容
相當於你目前提到的[畫素的等效電容]
而整塊LCD畫素陣列 相當於 DRAM 的MOS陣列
等效電容越小 Reflash率提高
** DRAM Reflash的電路**  請用google 關鍵字DRAM Reflash 用圖片搜尋

一般我所知道的 等效電容上的電壓變化 是不量測
而是 以PSPICE 之類的仿真模擬軟體

示波器探棒proble 由於使用纜線cable  而cable上的等效電容不小  使整個探棒等效電容將近 8P~11P
以TEK探棒舉例  http://circuitslab.case.edu/manu ... tals-_Tektronix.pdf
Probe    Attenuation   R        C
P6106A 10X              10 Mx 11 pF
P6139A 10X              10 Mx  8 pF

因此為降低上述被動式示波器探棒 等效電容,  只有使用主動式示波器探棒Active FET probes
P6205  Active FET probes  等效電容是 2 pF  http://www.tek.com/datasheet/low-voltage-probe-single-ended/p6205

[引用]要觀看的是當我們不持續給訊號時
畫素記憶電路能否給畫素一個固定的偏壓


若是 你的畫素記憶電路 定要量測的話
就是不持續給訊號時  去量[畫素的偏壓]
當畫素的偏壓開始變化  就是記憶等效電容   電壓保持往下掉了

dram 1.jpg
dram 2.jpg

google 關鍵字DRAM Reflash 用圖片搜尋
上述圖片引用自:
http://users.cs.fiu.edu/~prabaka ... otes/lecture09.html
http://www.ece.unm.edu/~jimp/vlsi/slides/chap8_2.html

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