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P-MOSFET簡易高端驅動元件怎麼決定?(有圖)

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發表於 2012-5-19 11:17:25 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
P-MOSFET簡易高端驅動元件怎麼決定?(有圖)
公版的元件不好買,我手上to-92封裝的pnp電晶體是小顆的hfe最小50最大200,mos的gate電壓是正負20V大概高於1.5V就會導通,採用avr的mcu每i/o pin可驅動80ma電流但正常漏電流1μA。目前遇到的問題是1μA的漏電流被電晶體放大數百倍致使gate有0.5V~2V的壓降使mosfet不易截止永遠都在導通的狀況。
1、電晶體base的保護電阻(圖中暫無),應採用多大?怎麼計算?
2、1μA的漏電流被電晶體放大致使gate有0.5V~2V的壓降,這問題要怎麼解決?
3、mosfet的驅動電阻,應採用多大?怎麼計算?
4、電晶體好像愈小顆hfe愈大,買得到小顆但hfe很小的電晶體嗎?
mosfet.jpg
發表於 2012-5-19 11:57:39 | 顯示全部樓層
倒過來用NPN電晶體來驅動就可以了,或是以N Channel Mos FET也可以,
您目前用PNP電晶體會讓20V電壓經由電阻-->9012 EB到達I/O Port,因為
I/O Port是5V系統,所以即使輸出1還是無法關閉MOS,也有可能讓MCU I/O
Port損壞。
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發表於 2012-5-19 12:11:27 | 顯示全部樓層
目前你的電路不完整,而且用途,輸出入電壓電流等資料也沒有,pulse(頻率)輸出或單純Hi,Lo控制,這樣難以做正確的判斷.

你可以先在電晶體的B極串接上電阻,也許還要再加上Zener,Vbe並接上電阻Rbe.
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