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出處：
http://tw.myblog.yahoo.com/weng3 ... 6&l=f&fid=9
IC積體電路與電晶體等半導體的損壞，其實都提供了隱藏的資訊，如果能加以深入分析，有很大的機會能夠發現原因，並用以採取正確有效的對策。
IC積體電路的損壞，先確認電源電壓供應正常，各腳位的偏壓電阻阻值無誤。接著找尋直流電壓嚴重異常的腳位，此時需注意由於其內部為DC交連方式，某一腳位元的嚴重異常也會造成其他腳位的微量異常。找到異常腳位後，移除電源，以三用電錶電阻檔測量該腳位的對地或對電源腳位的阻抗特性。如果阻抗過高異常，即為該腳位因承受異常過高電位而損壞。反之，如果阻抗過低異常，即為該腳位因承受異常過高負電位而損壞。
不良的產生有可能是來自靜電，或是電源開啟及關閉時，由於電路上大容量電容器的充放電，使該腳位瞬間對電源或地電位異常，因而擊穿其內部元件。一般對策方法為阻抗過低異常者，該腳位對地加並逆向保護二極體，阻抗過高異常者，該腳位對電源加並順向保護二極體。
至於電晶體的損壞，由於只有三個腳位，應該比較容易分析原因。測試方法則與前面所述相同，但是其結果與電晶體的功率高低有關。一般而言，小功率的電晶體，如果因為負載功率不足而燒毀，會使E,B,C各腳位元均為開路狀態。 如果因電壓過高損壞，尤其是C腳，會使C E 或 C B腳位間成為短路低阻抗狀態。如果是E B腳位元間為短路低阻抗狀態，應該是B腳位輸入端，過高的負電位所致。如果是E B腳位元間為開路高阻抗狀態，應該是B腳位輸入端，過高的正電位所致。這兩種情形除非是偏壓電阻錯誤，應該是高波幅的脈波信號經直流隔離電容後，產生過量的充放電脈波所造成。至於大功率電晶體，如果因為負載功率不足而燒毀，則是E, C腳位元為短路狀態，E, B腳位元卻為開路狀態。 |
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發表於 2010-8-31 19:48:00
發表於 2010-12-23 10:09:21