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最常用的電子元器件

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發表於 2010-8-23 07:38:50 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
電阻
電阻在電路中用「R」加數字表示,如:R1表示編號為1的電阻.電阻在電路中的主要作用為
分流、限流、分壓、偏置等.
1、參數識別:電阻的單位為歐姆(Ω),倍率單位有:千歐(KΩ),兆歐(MΩ)等.換算
方法是:1兆歐=1000千歐=1000000歐
電阻的參數標註方法有3種,即直標法、色標法和數標法.
a、數標法主要用於貼片等小體積的電路,如:
472 表示 47×100Ω(即4.7K); 104則表示100K
b、色環標註法使用最多,現舉例如下:
四色環電阻 五色環電阻(精密電阻)
2、電阻的色標位置和倍率關係如下表所示:
顏色 有效數字 倍率 允許偏差(%)
銀色 / x0.01 ±10
金色 / x0.1 ±5
黑色 0 +0 /
棕色 1 x10 ±1
紅色 2 x100 ±2
橙色 3 x1000 /
黃色 4 x10000 /
綠色 5 x100000 ±0.5
藍色 6 x1000000 ±0.2
紫色 7 x10000000 ±0.1
灰色 8 x100000000 /
白色 9 x1000000000 /
電容
1、電容在電路中一般用「C」加數字表示(如C13表示編號為13的電容).電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件.電容的特性主要是隔直流通交流.電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號的頻率和電容量有關.容抗XC=1/2πf c (f表示交流信號的頻率,C表示電容容量) 電話機中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨石電容、鉭電容和滌綸電容等.
2、識別方法:電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同,分直標法、色標法和數標法3種.電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF).其中:1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標明,如10 uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數字表示字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF1n=1000PF 數字表示法:一般用三位數字表示容量大小,前兩位表示有效數字,第三位數字是倍率.如:102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=0.22 uF
3、電容容量誤差
如:一瓷片電容為104J表示容量為0. 1 uF、誤差為±5%.
晶體二極管
晶體二極管在電路中常用「D」加數字表示,如: D5表示編號為5的二極管.
1、作用:二極管的主要特性是單嚮導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很小;而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大.正因為二極管具有上述特性,無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控制、調頻調製和靜噪等電路中.電話機裡使用的晶體二極管按作用可分為:整流二極管(如1N4004)、隔離二極管(如1N4148)、肖特基二極管(如BAT85)、發光二極管、穩壓二極管等.
2、識別方法:二極管的識別很簡單,小功率二極管的N極(負極),在二極管外表大多採用一種色圈標出來,有些二極管也用二極管專用符號來表示P極(正極)或N極(負極),也有採用符號標誌為「P」、「N」來確定二極管極性的.發光二極管的正負極可從引腳長短來識別,長腳為正,短腳為負.
3、測試注意事項:用數字式萬用表去測二極管時,紅表筆接二極管的正極,黑表筆接二極管的負極,此時測得的阻值才是二極管的正嚮導通阻值,這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反.
穩壓二極管
穩壓二極管在電路中常用「ZD」加數字表示,如:ZD5表示編號為5的穩壓管.
1、穩壓二極管的穩壓原理:穩壓二極管的特點就是擊穿後,其兩端的電壓基本保持不變.這樣,當把穩壓管接入電路以後,若由於電源電壓發生波動,或其它原因造成電路中各點電壓變動時,負載兩端的電壓將基本保持不變.
2、故障特點:穩壓二極管的故障主要表現在開路、短路和穩壓值不穩定.在這3種故障中,前一種故障表現出電源電壓升高;後2種故障表現為電源電壓變低到零伏或輸出不穩定.
常用穩壓二極管的型號及穩壓值如下表:
型號 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761
穩壓值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V
電感
電感在電路中常用「L」加數字表示,如6表示編號為6的電感.電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數製成.直流可通過線圈,直流電阻就是導線本身的電阻,壓降很小;當交流信號通過線圈時,線圈兩端將會產生自感電動勢,自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反,阻礙交流的通過,所以電感的特性是通直流阻交流,頻率越高,線圈阻抗越大.電感在電路中可與電容組成振盪電路.
電感一般有直標法和色標法,色標法與電阻類似.如:棕、黑、金、金表示1uH(誤差5%)的電感.
電感的基本單位為:亨(H) 換算單位有:1H=103mH=106uH.
變容二極管
變容二極管是根據普通二極管內部 「PN結」 的結電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一
原理專門設計出來的一種特殊二極管.
變容二極管在無繩電話機中主要用在手機或座機的高頻調製電路上,實現低頻信號調製到高
頻信號上,並發射出去.在工作狀態,變容二極管調製電壓一般加到負極上,使變容二極管
的內部結電容容量隨調製電壓的變化而變化.
變容二極管發生故障,主要表現為漏電或性能變差:
(1)發生漏電現象時,高頻調製電路將不工作或調製性能變差.
(2)變容性能變差時,高頻調製電路的工作不穩定,使調製後的高頻信號發送到對方被對
方接收後產生失真.
出現上述情況之一時,就應該更換同型號的變容二極管.
晶體三極管
晶體三極管在電路中常用「Q」加數字表示,如17表示編號為17的三極管.
1、特點:晶體三極管(簡稱三極管)是內部含有2個PN結,並且具有放大能力的特殊器件.它分NPN型和PNP型兩種類型,這兩種類型的三極管從工作特性上可互相彌補,所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用.電話機中常用的PNP型三極管有:A92、9012、9015等型號;NPN型三極管有:A42、9014、9018、9013等型號.
2、晶體三極管主要用於放大電路中起放大作用,在常見電路中有三種接法.為了便於比較,將晶體管三種接法電路所具有的特點列於下表,供大家參考.
名稱 輸入阻抗 輸出阻抗 電壓放大倍數 電流放大倍數
共發射極電路 中(幾百歐~幾千歐) 中(幾千歐~幾十千歐) 大 大(幾十)
共集電極電路(射極輸出器) 大(幾十千歐以上) 小(幾歐~幾十歐) 小(小於1並接近於1)大(幾十)
共基極電路 小(幾歐~幾十歐) 大(幾十千歐~幾百千歐) 大 小(小於1並接近於1)
功率放大倍數 頻率特性 應用
大(約30~40分貝) 高頻差 多級放大器中間級,低頻放大
小(約10分貝) 好 輸入級、輸出級或作阻抗匹配用
中(約15~20分貝) 好 高頻或寬頻帶電路及恆流源電路
場效應晶體管放大器
1、場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優點,因而也被廣泛應用於各種電子設備中.尤其用場效管做整個電子設備的輸入級,可以獲得一般晶體管很難達到的性能.
2、場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類,其控制原理都是一樣的.如圖1-1-1是兩種型號的表示符號:
3、場效應管與晶體管的比較:
(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件.在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.
(2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數載流子,也利用少數載流子導電.被稱之為雙極型器件.
(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.
(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用.

最常用的電子元件型號
整流二極管:
1N4001~1N4007 50V~1000~/1.0A 1N5391~1N5399 50V~1000V/1.5A 1N5400~1N5408 50V~1000V/3.0A
開關二極管:
1N4148 1N4150 1N4448
肖特基二極管:
1N5817~1N5819 20V~40V/1.0A 1N5820~1N5822 20V~40V/3.0A 1N60 1N60P小電流低壓降
光電耦合器:
4N35 4N36 4N37
晶體三極管:
PNP:8050 9015 A92
NPN:9012 9013 9014 9015 9018
D/A轉換器:
AD7520 AD7521 AF7530 AD7521
8位AC0830 DAC0832 (D/A )12位:AD7541 (D/A)
8位:ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838(A/D)
跨導運算變壓器:
CA3080 CA3080A OTA
BiMOS運算變壓器:
CA3140 CA3140A
DB3 雙向觸發二極管
快恢復二極管:
FR101~FR107 50V~1000/1.0A
三位半A/D轉換器:
ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117
載波穩零運算放大器:
ICL7650
CMOS電源電壓變換器:
ICL7660/MAX1044
單片函數發生器:
ICL8038
通用計數器:
ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz
帶BCD輸出10MZ通用計數器:
ICM7226A ICM7226B
單/雙通用定時器:
ICM7555 ICM7555
DTMF 收發器:
ISO2-CMOS MT8880C
JFET輸入運算放大器:
LF351
FJET輸入寬帶高速雙運算放大器:
LF353
三端可調電源:
LM117 LM317A LM317
低功耗四運算放大器:
LM124 LM124 LM324 LM2920
三端可調負電壓調整器:
LM137 LM337
低功耗四電壓比較器:
LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302
可關斷開關電源:
LM1575-3.3、LM2575-3.3、LM2575HV-3.3、LM1575-5.0、LM2575-5.0、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、 LM2575HV-12、LM1575-15,LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJLM2576-3.3、LM2576HV-3.3、LM2576-5.0、LM2576HV-5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、 LM2576-ADJ
低功耗雙運算放大器:
LM158 LM258 LM358 LM2904
低功耗雙電壓比較器:
LM193 LM293 LM393 LM2903
通用運算放大器:
LM201 LM301 LM741
精密電壓 頻率轉換器:
LM231A LM231 LM331A LM331

微功耗基準電壓二極管:
LM285 LM358
精密運算放大器:
LM308A
低壓音頻小功率放大器:
LM386
帶溫度穩定器精密電壓基準電路:
LM299 LM399 LM3999
可調電壓基準電路:
LM431
鎖相環音頻譯碼器:
LM657 LM657C
雙低噪聲音頻功率放大器:
LM831 LM833
雙定時LED電子鐘電路:
LM8365
單片函數發生器;
MAX038 0.1~20MZ
5V電源多通道RS232驅動器/接收器:
MAX232
七路達林頓驅動器:
MC1413 MC1416
編碼器/譯碼器:
MC145026 MC145027 MC145028
MC145023-5/8 RS232驅動器:
MC145403 MC145404 MC145405 MC145408
RS232驅動器/接收器:
MC145406 MC145407
四施密特可控線路驅動器:
MC1489 MC1489A SN55189 SN55189A SN75189 SN75189A
低功率調頻發射系統:
MC2833
低功率調頻窄頻帶接收器:
MC3362
雙運算放大器:
MC4558
MC7800系列 1.0A三端正電壓穩壓器:
MC7805(5.0V)、LM340-5(5.0V)、MC7806(6.0V)、MC7808(8.0V)、MC7809(9.0V)、MC7812(12V)、LM340-12(12V)、MC7815(15V)、LM340-15(15V)、MC7818(18V)、MC7824 (24V)
MC78L00系列 0.5A三端正電壓穩壓器:
MC78M05(5.0V)、MC78M06(6.0V)、MC78M08(8.0V)、MC78M09 (9.0V)、MC78M12(12V)、MC78M15(15V)、MC78M18(18V)、 MC78M20(20V)、MC78M24(24V)
MC78T00系列 3.0A正電壓穩壓器:
MC78T05(5.0V)、MC78T08(8.0V)、MC78T12(12V)、MC78T15 (15V)
MC7900系列 1.0三端負電壓穩壓器:
MC7905(5.0V)、MC7905.2(5.2V)、MC7906(6.0V)、MC7908 (8.0V)、MC7912(12V)、MC7915(15V)、MC7918(18V)、 MC7924(24V)
MC79L00系列 0.1A 三端負電壓穩壓器:
MC79L05(5.0V)、MC79L12(12V)、MC79L15(15V)、MC79L18 (18V)、MC79L24(24V)
MC79M00系列 0.5A 三端負電壓穩壓器:
MC79M05(5.0V)、MC79M08(8.0V)、MC79M12(12V)、MC79M15 (15V)
Microchip PIC 系列單片機RS232通訊應用:
3.579545MHZ--60HZ 17級分頻振盪器:
MM5369
雙向可控硅輸出光電耦合器:
MOC3009 MOC3012 (250V) MOC3020 MOC3023 (400V)
DTMF雙音頻接收器:
MT8870C MT8870C-1
DTMF 收發器:
MT8888C
單時基電路:
NE555 NE555Y SA555 SE555
雙時基電路:
NE556 SA556 SE556
音頻壓縮擴展器:
NE570 NE571 SA571
低電壓飄移運算放大器:
OP07 OP77
低噪音精密運算放大器:
OP27
低噪音高精密運算放大器:
OP37
精密低電壓微功耗運算放大器:
OP90
高效光電耦合器:
PC817 PC827 PC837 PC847
無線遙控發射編碼器芯片:
PT2262
無線遙控接收解碼器芯片:
PT2272
脈寬市制PWM:
SG2524 SG3524
電力線調製解詰器電路:
ST7537
音頻功率放大器:
TDA1521/TDA1521Q 2×12W Hi-Fi
TDA2030 14W Hi-fi
TDA2616/TDA2616Q 2×12W Hi-Fi
FM 單片調頻接收電路:
TDA7000T TDA7010T
FM MTS 單片調節器頻接收電路:
TDA7021T
低電壓鎖相環立體解碼器:
TDA7040T
低電壓單/雙聲道功率放大器:
TDA7050
低功耗JFET輸入運算放大器:
TL062 TL064
低噪聲JFET輸入運算放大器:
TL071 TL072 TL074
JFET輸入寬帶高速運算放大器:
TL081 TL082 TL084
脈寬調製PWM:
TL494
精密開關模式脈寬調製控制:
TL594
光電耦合器:
TLP521-1/TLP521-2/TLP521-4
PWM Switch:
TOP100/TOP101/TOP102/TOP103/TOP104 TOP200/TOP201/TOP202/TOP203/TOP204/TOP214 TOP209/TOP210
線性八外圍驅動器陣列:
ULN2803 ULN2804
(八路NPN達林頓連接晶體管陣系列特別適用於低邏輯電平數字電路(諸如TTL,CMOS或PMOS/NMOS)和較高的電流/電壓要求之間的接口,廣泛應用於計算機,工業用和消費類產品中的燈、繼電器、打印錘或其它類似負載中.所有器件具有集電極開路輸出和續流箝位二極管,用於抑制躍變.ULN2803的設計與標準TTL系列兼容,而ULN2804最適於6至15伏高電平CMOS或PMOS.
二級管的分類及特性
一、根據構造分類
半導體二極管主要是依靠PN結而工作的.與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型,也被列入一般的二極管的範圍內.包括這兩種型號在內,根據PN結構造面的特點,把晶體二極管分類如下:
1、點接觸型二極管
點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針後,再通過電流法而形成的.因此,其PN結的靜電容量小,適用於高頻電路.但是,與面結型相比較,點接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用於大電流和整流.因為構造簡單,所以價格便宜.對於小信號的檢波、整流、調製、混頻和限幅等一般用途而言,它是應用範圍較廣的類型.
2、鍵型二極管
鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的.其特性介於點接觸型二極管和合金型二極管之間.與點接觸型相比較,雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加,但正向特性特別優良.多作開關用,有時也被應用於檢波和電源整流(不大於50mA).在鍵型二極管中,熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型,熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型.
3、合金型二極管
在N型鍺或硅的單晶片上,通過合金銦、鋁等金屬的方法製作PN結而形成的.正向電壓降小,適於大電流整流.因其PN結反向時靜電容量大,所以不適於高頻檢波和高頻整流.
4、擴散型二極管
在高溫的P型雜質氣體中,加熱N型鍺或硅的單晶片,使單晶片表面的一部變成P型,以此法PN結.因PN結正向電壓降小,適用於大電流整流.最近,使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型.
5、檯面型二極管
PN結的製作方法雖然與擴散型相同,但是,只保留PN結及其必要的部分,把不必要的部分用藥品腐蝕掉.其剩餘的部分便呈現出檯面形,因而得名.初期生產的檯面型,是對半導體材料使用擴散法而製成的.因此,又把這種檯面型稱為擴散檯面型.對於這一類型來說,似乎大電流整流用的產品型號很少,而小電流開關用的產品型號卻很多.
6、平面型二極管
在半導體單晶片(主要地是N型硅單晶片)上,擴散P型雜質,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結.因此,不需要為調整PN結面積的藥品腐蝕作用.由於半導體表面被製作得平整,故而得名.並且,PN結合的表面,因被氧化膜覆蓋,所以公認為是穩定性好和壽命長的類型.最初,對於被使用的半導體材料是採用外延法形成的,故又把平面型稱為外延平面型.對平面型二極管而言,似乎使用於大電流整流用的型號很少,而作小電流開關用的型號則很多.
7、合金擴散型二極管
它是合金型的一種.合金材料是容易被擴散的材料.把難以製作的材料通過巧妙地摻配雜質,就能與合金一起過擴散,以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分佈.此法適用於製造高靈敏度的變容二極管.
8、外延型二極管
用外延面長的過程製造PN結而形成的二極管.製造時需要非常高超的技術.因能隨意地控制雜質的不同濃度的分佈,故適宜於製造高靈敏度的變容二極管.
9、肖特基二極管
基本原理是:在金屬(例如鉛)和半導體(N型硅片)的接觸面上,用已形成的肖特基來阻擋反向電壓.肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異.其耐壓程度只有40V左右.其特長是:開關速度非常快:反向恢復時間trr特別地短.因此,能製作開關二極和低壓大電流整流二極管.
二、根據用途分類
1、檢波用二極管
就原理而言,從輸入信號中取出調製信號是檢波,以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流小於100mA的叫檢波.鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz,正向壓降小,結電容小,檢波效率高,頻率特性好,為2AP型.類似點觸型那樣檢波用的二極管,除用於檢波外,還能夠用於限幅、削波、調製、混頻、開關等電路.也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩隻二極管組合件.
2、整流用二極管
就原理而言,從輸入交流中得到輸出的直流是整流.以整流電流的大小(100mA)作為界線通常把輸出電流大於100mA的叫整流.面結型,工作頻率小於KHz,最高反向電壓從25伏至3000伏分A~X共22檔.分類如下:①硅半導體整流二極管2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用於電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型.
3、限幅用二極管
大多數二極管能作為限幅使用.也有像保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極管.為了使這些二極管具有特別強的限制尖銳振幅的作用,通常使用硅材料製造的二極管.也有這樣的組件出售:依據限制電壓需要,把若干個必要的整流二極管串聯起來形成一個整體.
4、調製用二極管
通常指的是環形調製專用的二極管.就是正向特性一致性好的四個二極管的組合件.即使其它變容二極管也有調製用途,但它們通常是直接作為調頻用.
5、混頻用二極管
使用二極管混頻方式時,在500~10,000Hz的頻率範圍內,多採用肖特基型和點接觸型二極管.
6、放大用二極管
用二極管放大,大致有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大,以及用變容二極管的參量放大.因此,放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變容二極管.
7、開關用二極管
有在小電流下(10mA程度)使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極管.小電流的開關二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管,也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、檯面型和平面型二極管.開關二極管的特長是開關速度快.而肖特基型二極管的開關時間特短,因而是理想的開關二極管.2AK型點接觸為中速開關電路用;2CK型平面接觸為高速開關電路用;用於開關、限幅、鉗位或檢波等電路;肖特基(SBD)硅大電流開關,正向壓降小,速度快、效率高.
8、變容二極管
用於自動頻率控制(AFC)和調諧用的小功率二極管稱變容二極管.日本廠商方面也有其它許多叫法.通過施加反向電壓,使其PN結的靜電容量發生變化.因此,被使用於自動頻率控制、掃瞄振盪、調頻和調諧等用途.通常,雖然是採用硅的擴散型二極管,但是也可採用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊製作的二極管,因為這些二極管對於電壓而言,其靜電容量的變化率特別大.結電容隨反向電壓VR變化,取代可變電容,用作調諧回路、振盪電路、鎖相環路,常用於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路,多以硅材料製作.
9、頻率倍增用二極管
對二極管的頻率倍增作用而言,有依靠變容二極管的頻率倍增和依靠階躍(即急變)二極管的頻率倍增.頻率倍增用的變容二極管稱為可變電抗器,可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極管的工作原理相同,但電抗器的構造卻能承受大功率.階躍二極管又被稱為階躍恢復二極管,從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短,因此,其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短.如果對階躍二極管施加正弦波,那麼,因tt(轉移時間)短,所以輸出波形急驟地被夾斷,故能產生很多高頻諧波.
10、穩壓二極管
是代替穩壓電子二極管的產品.被製作成為硅的擴散型或合金型.是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極管.作為控制電壓和標準電壓使用而製作的.二極管工作時的端電壓(又稱齊納電壓)從3V左右到150V,按每隔10%,能劃分成許多等級.在功率方面,也有從200mW至100W以上的產品.工作在反向擊穿狀態,硅材料製作,動態電阻RZ很小,一般為2CW型;將兩個互補二極管反向串接以減少溫度係數則為2DW型.
11、PIN型二極管(PIN Diode)
這是在P區和N區之間夾一層本征半導體(或低濃度雜質的半導體)構造的晶體二極管.PIN中的I是"本征"意義的英文略語.當其工作頻率超過100MHz時,由於少數載流子的存貯效應和"本征"層中的渡越時間效應,其二極管失去整流作用而變成阻抗元件,並且,其阻抗值隨偏置電壓而改變.在零偏置或直流反向偏置時,"本征"區的阻抗很高;在直流正向偏置時,由於載流子注入"本征"區,而使"本征"區呈現出低阻抗狀態.因此,可以把PIN二極管作為可變阻抗元件使用.它常被應用於高頻開關(即微波開關)、移相、調製、限幅等電路中.
12、 雪崩二極管 (Avalanche Diode)
它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的晶體管.產生高頻振盪的工作原理是欒的:利用雪崩擊穿對晶體注入載流子,因載流子渡越晶片需要一定的時間,所以其電流滯後於電壓,出現延遲時間,若適當地控制渡越時間,那麼,在電流和電壓關係上就會出現負阻效應,從而產生高頻振盪.它常被應用於微波領域的振盪電路中.
13、江崎二極管 (Tunnel Diode)
它是以隧道效應電流為主要電流份量的晶體二極管.其基底材料是砷化鎵和鍺.其P型區的N型區是高摻雜的(即高濃度雜質的).隧道電流由這些簡並態半導體的量子力學效應所產生.發生隧道效應具備如下三個條件:①費米能級位於導帶和滿帶內;②空間電荷層寬度必須很窄(0.01微米以下);簡並半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性.江崎二極管為雙端子有源器件.其主要參數有峰谷電流比(IP/PV),其中,下標""代表"峰";而下標"V"代表"谷".江崎二極管可以被應用於低噪聲高頻放大器及高頻振盪器中(其工作頻率可達毫米波段),也可以被應用於高速開關電路中.
14、快速關斷(階躍恢復)二極管 (Step Recovary Diode)
它也是一種具有PN結的二極管.其結構上的特點是:在PN結邊界處具有陡峭的雜質分佈區,從而形成"自助電場".由於PN結在正向偏壓下,以少數載流子導電,並在PN結附近具有電荷存貯效應,使其反向電流需要經歷一個"存貯時間"後才能降至最小值(反向飽和電流值).階躍恢復二極管的"自助電場"縮短了存貯時間,使反向電流快速截止,並產生豐富的諧波份量.利用這些諧波份量可設計出梳狀頻譜發生電路.快速關斷(階躍恢復)二極管用於脈衝和高次諧波電路中.
15、肖特基二極管 (Schottky Barrier Diode)
它是具有肖特基特性的"金屬半導體結"的二極管.其正向起始電壓較低.其金屬層除材料外,還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料.其半導體材料採用硅或砷化鎵,多為N型半導體.這種器件是由多數載流子導電的,所以,其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多.由於肖特基二極管中少數載流子的存貯效應甚微,所以其頻率響僅為RC時間常數限制,因而,它是高頻和快速開關的理想器件.其工作頻率可達100GHz.並且,MIS(金屬-絕緣體-半導體)肖特基二極管可以用來製作太陽能電池或發光二極管.
16、阻尼二極管
具有較高的反向工作電壓和峰值電流,正向壓降小,高頻高壓整流二極管,用在電視機行掃瞄電路作阻尼和升壓整流用.
17、瞬變電壓抑制二極管
TVP管,對電路進行快速過壓保護,分雙極型和單極型兩種,按峰值功率(500W-5000W)和電壓(8.2V~200V)分類.
18、雙基極二極管(單結晶體管)
兩個基極,一個發射極的三端負阻器件,用於張馳振盪電路,定時電壓讀出電路中,它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點.
19、發光二極管
用磷化鎵、磷砷化鎵材料製成,體積小,正向驅動發光.工作電壓低,工作電流小,發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光.
三、根據特性分類
點接觸型二極管,按正向和反向特性分類如下.
1、一般用點接觸型二極管
這種二極管正如標題所說的那樣,通常被使用於檢波和整流電路中,是正向和反向特性既不特別好,也不特別壞的中間產品.如:SD34、SD46、1N34A等等屬於這一類.
2、高反向耐壓點接觸型二極管
是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品.使用於高壓電路的檢波和整流.這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般.在點接觸型鍺二極管中,有SD38、1N38A、OA81等等.這種鍺材料二極管,其耐壓受到限制.要求更高時有硅合金和擴散型.
3、高反向電阻點接觸型二極管
正向電壓特性和一般用二極管相同.雖然其反方向耐壓也是特別地高,但反向電流小,因此其特長是反向電阻高.使用於高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中,就鍺材料高反向電阻型二極管而言,SD54、1N54A等等屬於這類二極管.
4、高傳導點接觸型二極管
它與高反向電阻型相反.其反向特性儘管很差,但使正向電阻變得足夠小.對高傳導點接觸型二極管而言,有SD56、1N56A等等.對高傳導鍵型二極管而言,能夠得到更優良的特性.這類二極管,在負荷電阻特別低的情況下,整流效率較高.
發表於 2010-12-11 21:13:15 | 顯示全部樓層
厲害!內容十分詳細!吸收中
發表於 2011-1-19 19:36:08 | 顯示全部樓層
好厲害!

不過,我承認我沒看完^^
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