[求證]N通道空乏型MOSFET，其閘源間加上........

yakin999 · 發表於 2010-8-10 15:07:29

N通道空乏型MOSFET，其閘源間加上一負電壓(Vgs<0)時，則通道寬度減少

詳解？

是n通道p導通
所以負電壓時，則通道會變窄？
這樣ok吧?

s10274chen · 發表於 2010-8-10 16:48:09

因為是N通道，又是空乏型，通道早已形成。
閘極連接P基體，S、D連結通道兩端，P接正，N接負順偏，空乏區減少，可是當Vgs<0的時候，閘極接負，源極接正，空乏區變寬，故此，通道縮減。

shunxing · 發表於 2010-8-10 18:24:55

完全看不懂你們再說什麼:sam10 :sam10 :sam10

我承認我係來亂耶~~~~僅酸~~~~

n_163|

skyboat0520 · 發表於 2010-8-10 20:39:40

四、場效電晶體原理
(參考第16頁～19頁的內容)

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