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5V SB 變了12V 壞在那裡?

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發表於 2009-8-14 21:25:14 | 顯示全部樓層 |閱讀模式
大家好,第一次發,有錯請見量
小弟最近修理一火牛(2THE MAX)
原因是無5VSB
讀了W大的精華文後,找到2顆電阻與一粒1N 4148燒了.
更換之後5VSB 變成12.8V 負責5V SB的電晶體也十分熱,(無5V SB 時不熱.)
該電晶體是一高功率三極體C5353,(不是MOSFET?!~hm256~ 有師兄可解釋一下嗎?)
DATA SHEET 如下:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/172888/UTC/2SC5353-TA3-T.html


在此想問:
高壓電方面用MOSFET 與電晶體有什麼分別?(效能等等?)
5VSB 變了12.84V 原則在低壓那裡, 還是高壓?  低壓晶片有 TL494 與TPS3510
TL494 DATA SHEET:
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/28816/TI/TL494.html
TPS3510
http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/29202/TI/TPS3510.html

謝謝!

還有一個特別問題,用多小W數的電焊才能減小脫接點的機會?(用GOOT 的60W 常幫焊壞版.一個點已經不多於4秒了~hm246~

甫充:
其實我知道他是一顆BJT,~hm256~
不明白的地方是,看了大家的維修實例.大多都是用MOSFET的.
為什麼我的那個會用BJT.
用BJT 與MOSFET 差別在那裡?
謝謝
相片如下:

http://i153.photobucket.com/albums/s219/casio27846095/IMG_1012.jpg
http://i153.photobucket.com/albums/s219/casio27846095/IMG_1013.jpg
http://i153.photobucket.com/albums/s219/casio27846095/IMG_1014-1.jpg
http://i153.photobucket.com/albums/s219/casio27846095/IMG_1015-1.jpg
http://i153.photobucket.com/albums/s219/casio27846095/IMG_1011.jpg
 樓主| 發表於 2009-8-15 17:34:02 | 顯示全部樓層
有大大懂嗎?~hm244~
發表於 2009-8-15 17:57:57 | 顯示全部樓層
一般電晶體分兩大類:
一類是雙極性接面電晶體(簡稱BJT),屬於電流控制元件;另一類則是場效應電晶體(FET),屬於電壓控制元件,它又細分幾種電晶體,接面型廠效應電晶體(簡稱JFET)、金屬氧化場效應電晶體(簡稱MOSFET,有空乏型、增強型兩大類)
大致上就這樣說明,它們有各自不同的特性,大大您可以做些功課,閱讀一下電子學,就可了解更多了!

至於焊接上的問題,建議你焊接時,最好用30W或40W的烙鐵,60W的是對付大面積接點、鋪銅的場合使用,正確的使用烙鐵可避免不少問題!
發表於 2009-8-15 19:56:34 | 顯示全部樓層
3# 樓大大已經提供不少建議給你! 焊點被焊下除了烙鐵功率大小選擇外, 操作處理的時間與電路板本身的優略也有影響, 你可以自行嘗試出最好的處理方式.

你可能還是要提供電路板的照片, 不然光憑幾個編號簡值是瞎子摸象, 憑空想像!
請參考版規或其他求助po文版的內容方式.

希望您能修好它! 加油!
發表於 2009-8-16 00:50:29 | 顯示全部樓層
即然都查到DATASHEET了....
怎麼會不知道是MOSFET還是BJT呢?
DATASHEET最上面不就寫著"NPN SILICON TRANSISTOR"
何不使用各大翻譯網頁查查單字....不就知道了....
另外....
建議你去看看教學子板面中的那幾篇置頂文....
看完後你應該會更有概念....
知道讓如何下手維修....
 樓主| 發表於 2009-8-16 09:50:02 | 顯示全部樓層
其實我知道他是一顆BJT,~hm256~
不明白的地方是,看了大家的維修實例.大多都是用MOSFET的.
為什麼我的那個會用BJT.
用BJT 與MOSFET 差別在那裡?
謝謝
等會我會上傳相片,
發表於 2009-8-16 11:54:31 | 顯示全部樓層
BJT與MFET特性不同,在POWER中當開關使用,基本上因為元件導通狀況不同,有不同的考量,
高壓側開關使用BJT有導通壓降但因電流較小(5V SB 部份).且設計較單純,可用BJT.
低壓側使用用BJT會因元件有固定導通壓降,大電流通過時有發熱量較大.用MFET導通電阻小,散熱要求較低.

5V SB 電路與低壓供電電路不同,可專心追蹤電路各段電壓找出故障點.(ATX 電源原理是否已熟讀?)

焊接時用60W的烙鐵加熱速度快,也容易過熱,若是動作不熟練,還是先用30W或40W的烙鐵.若用恆溫烙鐵時溫度要調好.
 樓主| 發表於 2009-8-16 17:18:55 | 顯示全部樓層
那現在應該測高壓還是低壓?
5V SB有電壓是測低壓對嗎? 謝謝
 樓主| 發表於 2009-8-16 17:42:24 | 顯示全部樓層
剛剛找到問題應該是一顆TL431K ,但小弟不懂如何測試這顆電晶體
http://pdf1.alldatasheet.com/dat ... 1/SECOS/TL431K.html
有大大知道如何測試他嗎?
謝謝~hm251~
發表於 2009-8-16 20:13:43 | 顯示全部樓層

回復 9# 的帖子

這顆不是電晶體,它是一顆可調式的轉換器,有點像是可調式稽納二極體!
三用電表打歐姆檔 X10或是二極體檔位,測量紅色圈起來的地方會有順向導通、逆向截止之特性!
as.JPG
發表於 2009-8-17 02:54:18 | 顯示全部樓層
因為交換電路的差異,所以一次測開關有使用BJT與MOSFET的分別,但達成的功能相同。
發表於 2009-8-29 17:20:24 | 顯示全部樓層
MOSFET 設計上比較容易  BJT 比較省錢
發表於 2009-11-16 07:04:10 | 顯示全部樓層

回復 1# 的帖子

大大您好..
我有一顆跟您一樣的power, 但是情況是空載電壓正常
上機12v降到10.4v,請問大大有用到這樣的問題嗎?
發表於 2009-11-16 11:32:12 | 顯示全部樓層

回復 13# 的帖子

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