請問令N通道的MOSFET燒壞的辦法?

tony6605

請問各位大大，為什麼MOSFET會燒掉？死法也不同？
我一直很好奇，MOSFET是怎麼燒掉的??
都看書上寫 時間久，大電壓，大電流，高溫　導致故障！
多大的電壓是超過？多大的電流是高電流？多高的溫度稱為高溫？　
我知道ＳＰＥＣ上都有相關的說明，但是完全符合ＳＰＥＣ還是會燒掉！
有的ＤＳ擊穿，ＧＤ擊穿，ＤＳ開路，死法均不同！

請問各位大大，有什麼方法可以達成以下的狀況？
比方說Ｇ極接多少的電ＤＳ短路之類的，或是電路，可以讓他燒毀！
1.DS擊穿
2.GD擊穿
3.DS開路
4.讓他過熱到開路

以上 感覺有點像在找麻煩

我的主要想知道的是，ＭＯＳ會燒，原因？　代換上就修好，但不知道問題出在哪？
意外燒掉？品質不良？工藝問題？基礎壽命？

loku363

tony6605大大
您提出了對小弟來說是個很深奧的問題n_121|

以下是小弟的簡單淺見..不知適不適當
"""我知道ＳＰＥＣ上都有相關的說明，但是完全符合ＳＰＥＣ還是會燒掉！
有的ＤＳ擊穿，ＧＤ擊穿，ＤＳ開路，死法均不同！"""

雖說都有符合零件相關條件..但是..比方說.該零件.耐壓30V.15A.
這不表示該零件就能以30V.15A長時間100%運作
(就像百米短跑選手.你叫他用跑百米的速度來跑100公里馬拉松..這位百米選手一定會掛點的)

小弟認為讓零件50%運作比較好


基本的輸入電源不穩.以至照成該零件或周邊.旁線路上的電容.電阻.限流
受損.老化.短線.都是照成該零件損壞的兇手

一般我們都會更換同規格或更高規格的零件..所以如果周邊旁路上的零件只是輕微老化.當然我們只要換上該已明顯損壞的零件即可


產品不良.被仿冒.也不能排除在外

@#@頭腦裡又有蒼蠅了...不知自己在說甚麼嚕!!  SORRYn_109|

kenneth

MOS 晶體雖然特性很好但先天缺陷就是比較不耐用，尤其是跟 Bipolar 電晶體（普通的雙接合面電晶體）相比，常常超過一點點規格就會葛屁了，而工程師又常常讓她工作在危險曲線邊緣。

MOS 的閘極只有一層薄薄的薄膜讓她很容易受到稍高的電壓或靜電給打穿，所以在線路上的突波 雜訊 或高頻振盪就會瞬間毀壞他。
而壞的情況都不太一樣，不同種類不同用法死法都不同，我沒有特別去記憶或追查其原因。

舉例來說，以前第一次做 C 類的 MOS 射頻功率放大器買了幾顆貴參參的孿生  N-MOS FET，剛開始輸入輸出 LC 都還沒配好，正在調整之際一下子就連連燒掉兩顆，死的真是莫名其妙當時一顆可是要花上台幣四五千元呢！
再看國外的名牌廠製機，同一顆晶體明明耐壓只有 48V 工作時電壓竟然超到 52V，額定功率是 300W 竟然輸出 330W，這晶體能實際工作超過兩年就算是賺到的啦！

在交換式電源線路上的 MOS FET 我做的經驗不多不敢多說，讓其他人來補充。

yu0116

1.在Mos 元件中g和d,s之間有一層oxide,這一個oxide是mos 元件中很重要的材料,當元件操作時如果有電壓超過g的額定電壓將造成破壞性的損壞,也就是無法在使用,所以也就是gs擊穿或gd擊穿,所以ESD也會造成這一個問題.
2.但就,DS擊穿一般不會發生因為ds為一pn junction
3.DS開路??DS開路本來就開路(在gate 不給電壓下)
4.過熱到開路:這就要看你的封裝熱阻決定,你可以看dataseet 內的SOA表

MultiTang

請問令N通道的MOSFET燒壞的辦法?

這樣的主題很特異！可能是半導體物理的內容？很有趣！

當時一顆可是要花上台幣四五千元呢！

可否請問您所謂的"當時"是指西元多少年的時代？1960？1970？1980？1990？2000？
想了解它的市場價格變動？還有當時您有沒有買貴？

MOSFET算不算是半永久性元件？
印象中好像是看別人陳述或口述說過Diode、BJT等這類半導體元件不易壞？
不知道有無會錯意？
當時還想說：咁有影？一度揣測說者到底有無安什麼心態？有無甚麼預設立場？
甚麼半永久性元件？故障的例子感覺上是比電阻燒掉還要多！
故障的數量簡直就是要直逼電解電容！