如何測量電晶體性能的方法

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1．反向擊穿電流的檢測:普通電晶體的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測量電晶體發射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時，將萬用表置於R×1k檔，NPN型管的集電極C接黑表筆，發射極E接紅表筆；PNP管的集電極C接紅表筆，發射極E接黑表筆。
    正常時，鍺材料的小功率電晶體和中功率電晶體的電阻值一般大於10Kω（用R×100檔測，電阻值大於2kΩ），鍺大功率電晶體的電阻值為1.5kΩ（用R×10檔測）以上。矽材料電晶體的電阻值應大於100kΩ（用R×10k檔測），實測值一般為500kΩ以上。
    若測得電晶體C、E極之間的電阻值偏小，則說明該電晶體的漏電流較大；若測得C、E極之間的電阻值接近0，則說明其C、E極間已擊穿損壞。若電晶體C、E極之間的電阻值隨著管殼溫度的增高而變小許多，則說明該管的熱穩定性不良。
   也可以用電晶體直流參數測試表的ICEO檔來測量電晶體的反向擊穿電流。測試時，先將hFE/ICEO選擇開關置於ICEO檔，選擇電晶體的極性，將被測電晶體的三個引腳插個測試孔，然後按下ICEO鍵，從表中讀出反向擊穿電流值即可。
    2．放大能力的檢測:電晶體的放大能力可以用萬用表的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置於ADJ檔進行調零後，再撥至hFE檔，將被測電晶體的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中（採用TO-3封裝的大功率電晶體，可將其3個電極接出3根引線後，再分別與三個插孔相接），萬用表即會指示出該管的放大倍數。
    若萬用表無hFE檔，則也可使用萬用表的R×1k檔來估測電晶體放大能力。測量PNP管時，應將萬用表的黑表筆接電晶體的發射極E，紅表筆接電晶體的集電極C，再在電晶體的集電結（B、C極之間）上並接1只電阻（矽管為100kΩ鍺管為20 kΩ），然後觀察萬用表的阻值變化情況。若萬用表指標擺動幅度較大，則說明電晶體的放大能力較強。若萬用表指標不變或擺動幅較小，則說明電晶體無放大能力或放大能力較差。
    測量NPN管時，應將萬用表的黑表筆接電晶體的集電極C，紅表筆接電晶體的發射極E，在集電結上並接1只電阻，然後觀察萬用表的阻值變化情況。萬用表指標擺動幅度越大，說明電晶體的放大能力越強。
    也可以用電晶體直流參數測試表的hFE/測試功能來測量放大能力。測量時，先將測試表的hFE/ICEO檔置於hFE–100檔或hFE–300檔，選擇電晶體的極性，將電晶體插入測試孔後，按動相應的hFE鍵，再從表中讀出hFE值即可。
    3．反向擊穿電壓的檢測:電晶體的反向擊穿電壓可使用電晶體直流參數測試表的V（BR）測試功能來測量。測量時，先選擇被測電晶體的極性，然後將電晶體插入測試孔，按動相應的V（BR）鍵，再從表中讀出反向擊穿電壓值。
    對於反向擊穿電壓低於50V的電晶體，也可用圖5-58中所示的電路進行測試。將待測電晶體VT的集電極C、發射極E與測試電路的A端、B端相連（PNP管的E極接A點，C極接B點；NPN管的E有接B點，C極接A點）後，調節電源電壓，當發光二極體LED點亮時，A、B兩端之間的電壓值即是電晶體的反向擊穿電壓。

ck101

謝謝,基礎工必要知識,一點一滴慢慢吸收, 感謝.

macross

感謝
正努力吸收中

zzz

很詳細
感謝

ixe01a

謝謝大大分享