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發表於 2017-4-13 00:49:47
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本文章最後由 peter5438 於 2017-4-13 02:26 AM 編輯
專炸元件 首先謝謝你的資料我就是研究了一下
IGBT将用于控制输入的隔离栅极FET和作为单个器件中的开关的双极型功率晶体管组合在一起。
與較高阻斷電壓額定值的器件中的傳統MOSFET相比，IGBT具有顯著降低的正向壓降，儘管由於IGBT輸出BJT中不存在二極管Vf，因此在較低電流密度下MOSFETs顯示出更低的正向電壓。隨著MOSFET和IGBT器件的阻塞電壓額定值增加，n-漂移區域的深度必須增加，並且摻雜必須減小，導致器件的正嚮導通與阻斷電壓能力的大致平方關係的減小。通過在正向傳導期間將少數載流子（空穴）從集電極p +區域注入到n-漂移區域中，n漂移區域的電阻顯著降低。然而，由此導致的導通狀態正向電壓的降低帶來幾個懲罰：
附加的PN結阻止電流逆流。這意味著與MOSFET不同，IGBT不能反嚮導通。在需要反向電流流動的橋式電路中，另外的二極管（稱為續流二極管）與IGBT並聯（實際上是反並聯的）與IGBT相反地傳導電流。由於在IGBT使用占主導地位的較高電壓下，分立二極管的性能明顯高於MOSFET體二極管，因此不會過分嚴重。
N漂移區域對集電極P +二極管的反向偏置額定值通常只有幾十伏特，因此如果電路應用對IGBT施加反向電壓，則必須使用附加的串聯二極管。
注入N漂移區的少數載流子在開啟和關閉時需要時間進入和退出或重組。這導致與功率MOSFET相比更長的開關時間，因此更高的開關損耗。
IGBT的導通狀態正向壓降與功率MOSFET有很大的不同。 MOSFET電壓降可以建模為電阻，電壓降與電流成比例。相比之下，IGBT的二極管狀電壓降（典型值為2V）僅隨著電流的對數而增加。另外，對於較小的阻塞電壓，MOSFET電阻通常較低，因此IGBT和功率MOSFET之間的選擇將取決於特定應用中所涉及的阻斷電壓和電流。
通常，高電壓，高電流和低開關頻率有利於IGBT，而低電壓，低電流和高開關頻率是MOSFET的領域。
因為IGBT的電流很大, 我在想你的接觸點要非常的干淨, 不然會形成一個電阻, 而形成一個反向電壓貫穿GC. 防止以後再發生, 請加上一串聯二極管.
200A x 1 ohm = 200v |
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