晶體選(代)用基本說明

雄爸爸

選用零件,不只要看零件規格,更要注意電氣特性

名稱說明
VDS:源極-洩極的最大耐壓 (該晶體可承受最高電壓)
VGS:柵極-洩極的最大耐壓 (該晶體的最高驅動電壓)
ID  :源極最大電流 (該晶體的最高使用電流)
RDS(on):源極-洩極導通阻抗 (該晶體導通組抗)

以相同尺寸相同製程的半導體晶片來說
耐壓越高的,導通組抗相對也是較高的
導通阻抗變高會牽扯出一些相關的問題
一是效率會變低(因為晶體有壓降)
二是晶體會產生高溫(因為P=I2*R)
溫度升高晶體會出現”熱爆衝”
然後急速老化,死亡
所以一般選零件時,耐壓夠就好,RDS(on)低一點較實在
如果是用在高頻開關的話
就必須多注意ton  toff的 延遲時間
還有輸入的雜散電容 電感 的數據
因為雜散電容 電感 會影響VGS的充 放電時間
進而影響到最高工作頻率

另外要注意的一個重點就是
VGS柵極驅動電壓
VGS跟RDS(on)有絕對的關係
VGS越高RDS(on)越低 (不可超過VGSmax)
通常MOSFET的VGS都是+-20V max
但是MCU的輸出電壓只有5V
所以就要看該晶體的電氣規格或是曲線圖
找出VGS=5V時RDS(on)是多少
還有測試該曲線圖的ID電流是多少

個人較注重該零件的電氣特性與測試曲線

cremaker

原帖由 雄爸爸 於 2010-3-18 03:01 PM 發表 http://bbs.pigoo.com/images/common/back.gif
溫度升高晶體會出現”熱爆衝”

請教一下這個 "熱爆衝” 是什麼意思.. 感謝..

雄爸爸

原帖由 cremaker 於 2010-3-18 03:25 PM 發表 http://bbs.pigoo.com/images/common/back.gif


請教一下這個 "熱爆衝” 是什麼意思.. 感謝..

"熱爆衝"或是"熱脫跑"都有人說

正確應該是說
溫度過高晶體容易有"熱爆衝"現象
至於幾度會發生就不得而知了

"熱爆衝"意指
因溫度超過某一數值
導致該物體急速產生變化

s10274chen

當半導體元件處於高溫、高負載電流的工作環境下，會使其漏電流漸漸加大，從幾個nA到幾個uA（這只是大概描述而已，實際狀況，還是需要看半導體製程而定），只要漏電流達到一定程度，便會使如同電流逆衝一樣，嚴重時會把元件打穿。

雄爸爸

原帖由 s10274chen 於 2010-3-18 10:18 PM 發表 http://bbs.pigoo.com/images/common/back.gif
當半導體元件處於高溫、高負載電流的工作環境下，會使其漏電流漸漸加大，從幾個nA到幾個uA（這只是大概描述而已，實際狀況，還是需要看半導體製程而定），只要漏電流達到一定程度，便會使如同電流逆衝一樣，嚴重時會把元件打穿。 ...

還是高材生利害
三言兩語就解釋清楚了

s10274chen

不會啦！雄大您過講了！
看到您貼了不少精彩文章，感覺我還差很多。很多地方要學習。

ll007

資料多 剛好適合我研究 感謝大大分享

HappyMaChi

比方說看這顆 MOSFET 資料! 請看 Figure.6