ST 2N3055 電晶體拆解~

pmerw

01.這些 2N3055 看起來有被打磨的感覺~

02.心一橫拆一顆來看看

03.大家來幫我看看, 此為真貨還是假貨呢?

04.放個它的原蓋當比例尺

cs8316

真的吧~ 我家之前有從機器上拆下的3055，也是像這樣是噴過漆的樣子

台北大安

應該是真的,不過現在的新品3055/2955一般來說都cost down,耐用度都比不上近四十年前出產的MOTOROLA鋁殼古董品.

花栗鼠

以前我也很好奇的拆過1個
可是我拆的那顆在晶片上還有一層類似凝膠的東西
P大拆的這1顆怎麼沒有那類似凝膠的東西呢?
n_066|

專炸元件

這是真的 現代版的 引線改用鋁了
以前是用紫銅片

如果拿噴刀去燒它  可以把晶粒拿下來
拿放大鏡看   看的到BE  C在下面

kip

應該是真的。晶片上面粗線是 Emitter. 細線是 Base, 晶片底部是 Collector.
通常封裝的時候，打金屬蓋子上去的機器，要碼充氮氣，不然就是充乾燥空氣。
所以當你拆開來的時候，空氣跟水氣跑進去了.

wooden

可能是晶片工藝進步了，看起來晶粒好像比以前的小很多。

pmerw

不知道是否是工藝是否進步, 我量他的大小,約為 2.5/2.5mm

lazy104

pmerw 發表於 2014-5-8 01:45 PM static/image/common/back.gif
不知道是否是工藝是否進步, 我量他的大小,約為 2.5/2.5mm

呵呵! 製程技術進步是一定的啦, 但背後的推手是成本考量.

以 Toshiba 為例, 600V的高壓MOS型號修改一系列, 代表製程微縮進步一次,
不是晶粒變小就是旁邊的支架或導線減化, 當然生產成本就降低一些.

pmerw

01.今天又殺了一顆 Toshiba 的

02.Die 有比較大 (3.3x3.3 mm), 上面還上了不知名的膠

A-John

請問P大，是用啥方法拆的??

切口蠻工整的，值得學習^^。

pmerw

A-John 發表於 2014-5-20 01:37 AM static/image/common/back.gif
請問P大，是用啥方法拆的??

切口蠻工整的，值得學習^^。

老虎鉗

A-John

哈~ 沒想到用老虎鉗就能拆得這麼工整^^。

功夫真好!!

小莉莉

那麼細的鋁導線能耐到額定的15AMP嗎??

henrylu500

這種D/B製程屬於soft solder方式,也就是銲錫與晶片底部接和,然後W/B製程使用打鋁線方式焊接,可以耐大電流.
PS.這種銲錫使用一般烙鐵昰沒辦法溶化的.

kip

一般 power 元件，通常晶片底下是使用錫片，會與晶片底下的錫鎳合金共鎔。原理的話我就不多做解釋，因為各家有個家的結構。白色的凝膠，成分是矽膠(Sillicone)成分，主要是防水氣的功能。
某些一般用途的低價位二極體也會在晶片四周塗上矽膠。主要用途是防水氣及防止環氧樹脂(Epoxy中的鹵素離子雜質侵害)

一般 IC元件， die bond 會用銀膠，銀膠用烙鐵是很不好取下來的。但是通常 power 元件，錫片(錫鉛合金)熔點不會這麼高，但是因為金屬底座或者 lead-frame 大，熱導得快，烙鐵也不好取下。

金線、鋁線、銅線做 wire bond 有份標準，是線徑與耐電流的對照表。臨時查不到...

幾年前有去過深圳 ST 的 的工廠參觀過... 知道一些詳情。

kip

另外，基本上 BJT (電晶體) 的微結構在這幾十年來，沒有多大的變化。不像是 power mosfet，從平面結構，變成垂直結構，再變成 Trend 結構；由擴散製程，變成 implantation 製程。(這兩種製程的成本大概差 1~2個數量級)

而BJT幾乎沒啥進步。所以晶片大小的變化，幾乎只反應成本的問題而已。也就是說，概略講，晶片變小，只是 cost down而已。So, 晶片大，成本高，散熱或許比較優些，晶片上的電流密度相對來講是好些，熱，也相對低些，但是反應時間會差些(與電容有關的特性)....
上面的東西，都只一般概略，並不是絕對。畢竟，微結構, substrate 的某些特性，還是有些影響因素。

港都狼仔

目前薄型封裝(例如TFBGA等)，都採用FILM(可以想像成雙面膠，但受熱才會軟化黏住)，使用銀膠比例越來越少

kip

其實，大家目前用得很多的 SD 卡，裡面的 Flash memory 早就已應是使用 stack chip 的封裝了。自己開過一個8G 的Sandisk USB隨身碟，裡面的晶片就是三顆晶片疊再一起。

yung6313

重小玩到大的3055
我還沒看過內部也
謝謝分享

ck101

長見識,謝謝分享