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樓主 |
發表於 2017-5-31 22:46:34
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本文章最後由 peter5438 於 2017-5-31 11:19 PM 編輯
謝謝你, 精闢的闡述. 但是還是沒辦法解釋我心中的疑慮? 就是為什麼? 不工作, 不開機的NAND FLASH 遇到冷的時候, 就工作正常? 同樣的情行, 也發生在EEPROM上面!
很多人都會說資料被破壞了[DATA CORRUPTED], 其實沒有....不然怎麼會遇到冷空氣, 就工作正常?
本人認為是這個原因 : The Floating-Gate Transistors . 浮置柵極晶體管
Failure modes
There are two limitations of stored information; endurance, and data retention.
During rewrites, the gate oxide in the floating-gate transistors gradually accumulates trapped electrons. The electric field of the trapped electrons adds to the electrons in the floating gate, lowering the window between threshold voltages for zeros vs ones. After sufficient number of rewrite cycles, the difference becomes too small to be recognizable, the cell is stuck in programmed state, and endurance failure occurs.
The manufacturers usually specify the maximum number of rewrites being 1 million or more.
During storage, the electrons injected into the floating gate may drift through the insulator, especially at increased temperature, and cause charge loss, reverting the cell into erased state. The manufacturers usually guarantee data retention of 10 years or more.
故障模式
存儲信息存在兩個限制：耐力和數據保留。
在重寫期間，浮置柵極晶體管中的柵極氧化物逐漸積累被俘獲的電子。捕獲的電子的電場增加了浮動柵極中的電子，降低了零與閾值電壓之間的窗口。經過足夠數量的重寫週期後，差異變得太小，無法識別，單元被卡在編程狀態，並發生耐久性故障。廠商通常指定最大重寫次數為100萬次以上。
在存儲期間，注入浮柵的電子可能漂移穿過絕緣體，特別是在升高的溫度下，並引起電荷損失，將電池恢復為擦除狀態。製造商通常保證數據保留10年以上。
 囉裡囉嗦....就是說....跟我的牙齒一樣......快要壞掉了, 但是還沒有壞! 還是能用....
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發表於 2017-5-29 04:39:11
難道....中國還沒有克隆出來嗎? 看看公司有沒有招人? 混進去裡面, 當間諜!!! 
GIVE ME POWER!!!
