[詢問]絲印NIKOS PK718BA規格

peter180

時間方便的話煩請前輩幫忙找Niko semi的PK618BA datasheet，PK718BA網路找不到相關規格資料。

只找到PK618BA PK618BA datasheet

感謝 ~

peter180

參考同級產品，上管為vishay RA14B Id:58A 應該可以以此參考找相關替代料

华硕H510M-E评测

SIMON1016

HighSide(HS)比較LS 更著重切換損失 ==>HS的Qg會選用的比LS小些
在同期MOSFET技術環境下 更低Rds(on)需要將G通道加大 導致Qg增加

一般來看  HS選用 會略略犧牲Rds(on) 換給Qg 優先  用以平衡歐姆損失與切換損失
我也不說一定是這樣  只是細細比較 各家主板CPU/顯卡GPU供電HS/LS

以PK718BA/PK618BA 配HS/LS  用PK618BA 性能估計
PK718BA 或說此處代用候選的Qg可能要求小於PK618BA


PK6B0SA Rds(on)細節差異不大 而Qg有好一點點
datasheet
https://www.alldatasheet.com/dat ... IKOSEM/PK6B0SA.html

露天昱全有零售直購價：$10
https://www.ruten.com.tw/item/show?22215576556747

peter180

SIMON1016 發表於 2025-4-24 12:49 PM
HighSide(HS)比較LS 更著重切換損失 ==>HS的Qg會選用的比LS小些
在同期MOSFET技術環境下 更低Rds(on)需要將 ...

感謝Simon兄的經驗分享與建議

這幾天思考對照相關上下管datasheet，決定從料板H310M拆RT3607BC與上下管方便些。

顯卡料板上也有不少高耐流的MOSFET可用

雖然H310是八/九代的chipset，H510是十代chipset，上下管的Id略低NIKOS原有規格。

低階CPU短暫確認VCORE各相波形與能否正常進入Linux系統，應該還不成問題

若幸運的話沒有額外問題，再採買原規格料件做更換。

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上管替代料
PK6B0SA Id: 56A
RDS(ON)=5mΩ(max.)@VGS=10V
VGS(th) 1.35 ~2.3V
Qg 25nC (VDS=15V, VGS=10V Ids=20A)

類似料號
PK618BA Id: 59A
RDS(ON)=5.5mΩ(max.)@VGS=10V
VGS(th) 1.5 ~2.35V
Qg 28nC (VDS=15V, VGS=10V Ids=20A)

H510M
上管PK718BA Id:?A

下管PK664BA Id: 114A
RDS(ON)=2.4mΩ(max.)@VGS=10V
VGS(th) 1.3 ~2.3V


H310M

上管SM4337 Id:55A
RDS(ON)=7.1mΩ(max.)@VGS=10V
VGS(th) 1.5 ~2.5V

下管SM4503 Id: 96A
RDS(ON)=3.4mΩ(max.)@VGS=10V
VGS(th) 1.4 ~2.5V

jacson99

"HighSide(HS)比較LS 更著重切換損失 ==>HS的Qg會選用的比LS小些
在同期MOSFET技術環境下 更低Rds(on)需要將G通道加大 導致Qg增加
一般來看  HS選用 會略略犧牲Rds(on) 換給Qg 優先  用以平衡歐姆損失與切換損失"

=>這是這樣解釋嗎?
採用NMOS(HS)、NMOS(LS)的同步降壓電路，
開啟HS的NMOS，gate電壓來自於自舉升壓(boostrap)電路，
它的供電能力有限，能推動的Qg自然較小，

NMOS(LS)的gate電壓來自12V直接供電，能推動的Qg較大，
另外，降壓電路:Vin=12v，Vout=1V，D=1/12
HS導通時間短，LS導通時間長，
NMOS(LS)選Rds小，可以有效降低歐姆損失，

剛看"上管SM4337"、"下管SM4503"，兩者Qg差距很小，
查了淘寶價格，同一店家，耐電流大的SM4503價格多1/5，之前看到這種零件配法，直覺是成本考量，
是我的話，上下管會直接換耐電流大的SM4503 ，
我現在用的1155主板，當初是買故障板修復，
CPU供電上管擊穿，修復時就是上下管會直接換一樣，
修復用到現在也好幾年了，

SIMON1016

jacson99 發表於 2025-4-25 12:02 AM
"HighSide(HS)比較LS 更著重切換損失 ==>HS的Qg會選用的比LS小些
在同期MOSFET技術環境下 更低Rds(on)需要 ...

"另外，降壓電路:Vin=12v，Vout=1V，D=1/12
HS導通時間短，LS導通時間長，
NMOS(LS)選Rds小，可以有效降低歐姆損失，"

這段話 就是我的解釋依據