CoolMOSTM 功率電晶體可取代MOSFET嗎?

康品穎

CoolMOSTM 功率電晶體可取代MOSFET嗎，找材料時翻到這個6R125P，請問前輩們!在IDS.VGS.RDS需求內可取代一頒行的MOSFET嗎?

peter180

能否代用，要先確認原來的規格資料。

比較後才能判斷。

場效應電晶體(MOSFET)規格特性辨識教學 by wish大
https://bbs.pigoo.com/thread-18145-1-1.html

SIMON1016

同 電壓 電流 條件下  可以
相較於 一般 IRF系列  以及進化版的 DMOS  ,  
CoolMOS 是Infineon 註冊  實際上就是再進化的DTMOS  
又稱 Superjunction (SJ) MOSFET  超接面MOSFET


要了解它就須從 MOSFET 結構剖面講起 到溝槽式 再到超接面 ... 真寫下去 所以我會昏 你會直接放棄生存
不如就前面提到的幾個 名詞關鍵字 搜網路圖片

它在D S 之間增加接面縱深(下圖裡增加的 兩個P-) 得到更好的當導通電阻(意味電流更大)   卻不需要擴大 G對於(D與S) 距離面積
所以 G面不變 G電容 Qg 電荷不須增大     耐壓(GD距離不變)不受引響
來源Source:
https:
//www.powerelectronicsnews.com/superjunction-sj-mosfets-performance-applications-and-comparisons-to-sic-and-gan/

中小封裝上  實現了大封裝才有的電流  所以許多會整合(IC+功率MOS)

通常400V 以上的 都談 超接面MOSFET   
廠商很聰明當然 不完全100%將資源傾注於導通電阻電流更大這點上   
為了更佳分享這種效益  會分配一些資源做更小 Qg 電荷  適應於更高的操作頻率 與較低的切換損失  
並且 耐受容許電流瞬變 di/dt更好

取代舊式MOSFET  當然OK  ....  
若是不考量電磁規範  維修替換也可以
考量電磁規範  更小 Qg 電荷 切換過快引起EMI問題   這是原廠設計師都要注意的

tonysun

看到這個熟悉的 i 符號，講一講最近的經驗:

功率晶體在對岸某大平台上，同一型號有時候價位相差很大，因為存在很多西貝貨，尤其是常用的型號。所以也有賣拆機舊品，可以比全新真品便宜。

假貨的封裝外型也可以相當精美，難以識別。問題可能有耐壓不足、晶片小造成承受電流/功率不足等問題。耐壓的問題可以用耐壓測試器測量，電流/功率的問題可能比較難測量。

前一陣子試買了一隻價位低的高壓大功率 IGBT，新品，一測耐壓，低了好幾成(數百伏)... 怪怪，本以為低個一成、二成已經很多了，結果超出想像! 因為價位低，只是買來玩玩，就當是經驗了

※ 還有，在對岸買東西，不妨多留意評價區大家的說法，以減小踩雷的機率。

SIMON1016

tonysun 發表於 2023-11-21 05:36 PM
看到這個熟悉的 i 符號，講一講最近的經驗:

功率晶體在對岸某大平台上，同一型號有時候價位相差很大，因為 ...

以前提過，以維修業而言，零件來源管道也是戰略資源。不是便宜而已而是有個品質穩定零件來源。

遇上好店家 請珍惜放入口袋名單   平常即使不重要的物品也會下單過去  好好養著

之前看了 靓仔修機 他遭遇了連續換第三次南橋
所謂外行看熱鬧  但是類似此景   可知道同一部件  下決心繼續換第三個  遭遇怎樣自我懷疑心歷

生命有限  絕不不把時間 絕不不把美好心情   交與垃圾店家陪葬