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發表於 2020-4-24 02:04:30
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受教了 , 因為我查不到它內部結構倒底是 N 或 P 的詳細資料 , 它唯一的敘述是High-side switch , 的確如你說的輸出接負載到地 , 我就當電晶體來想 , 通常High-side switch 我會用PNP , 雖然NPN也不是不行 , 但是驅動力會隨負載而變化 , 我也是用 P-Mos 做High-side switch , 原因只是所需電源比較簡單
, 假設輸入是12V , 若想要導通 , G接地 , 輕易達到一般 -10V 的 Vgs , 要關閉時 G 不接地 , 接電阻到 12V 便正確關閉 , 不用理會輸出負載端電壓變化的問題 , 我只敢用 N-Channel 當Low-side switch , 同 NPN 簡單便不贅述了 , 若用 N-Channel 控制 High-side , 初始 V-load=0 , Vgs=+10 , 輕易符合 Turn-on 條件 , 此時 V-load上來到 +12V , Vg 雖然送的是 +10V , 但不等於 Vgs= +10V , 因為 V-load 上來了 , 是不是上到 +12 V , 我不知道 , 我只知道要達到導通條件的 Vgs 已經不夠 +10V 了 , 啊不是有低導通電壓的 N-MOS 嗎 , 是啊 , 可是我還要去關照 V-load 不要吃掉我的 Vgs , 這樣很累 , 或許實務上有很簡單的方法可解決 , 只是我沒被點通 , 就只好一直用這種思維在處理 , 或許接下來就會有點通我的回帖 , 期待中 ,共勉 . |
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樓主
發表於 2020-4-23 22:39:49
