IGBT vs. MOSFET

peter5438

IGBT與MOSFET有什麼區別？   IGBT vs. MOSFET: What's the Difference?

簡而言之，IGBT是“雙極晶體管的輸出特性和MOSFET的柵極驅動特性”的半導體器件，而MOSFET是“三端子全控開關”（Electronic Products）。比較IGBT和MOSFET的另一種方法是說，IGBT基本上是在p +型襯底頂部的N溝道功率MOSFET。

在MOSFET中，只有電子在正向傳導期間流動。這一點，加上沒有少數載體的事實，意味著切換速度只受到費率的限制。因此，MOSFET非常適用於需要高開關速度的應用。在需要低阻抗的情況下，除了高阻塞電壓和快速的開關速度，例如服務器內電源，使用超結MOSFET（電子設計）。

IGBT以類似於MOSFET的方式工作。然而，在IGBT中，電子流從p型襯底中吸收正電荷到漂移區，從而顯著增加了漂移區的電導率，並顯著降低了IGBT的電壓，使得IGBT具有更高的電流密度和能力類似的額定MOSFET。這允許與MOSFET相比以更小的芯片尺寸製造IGBT。 IGBT專門設計用於快速開啟和關閉，允許它們用於在電動汽車和火車中產生粒子和等離子體物理學中的大功率脈衝，以及合成複雜波形的放大器（電子產品）。http://www.thequartzcorp.com/en/ ... -the-difference/142



Electronic Basics #28: IGBT and when to use them
https://www.youtube.com/watch?v=RxRJW09A_XA


我覺得這間公司在老王賣瓜...... IGBT就是比MOSFET更強更有力!     Cree MOSFET or IGBT for high power designs?
https://www.youtube.com/watch?v=nxhvLEWa7R4

duncan

可以看看2013新聞
http://www.autooo.net/utf8-classid164-id108127.html

SiC-MOSFET介紹
http://www.rohm.com.tw/web/taiwan/sic_what3

SiC Module :運用SiC diode 取代 FRD (Fast recovery diode)
http://www.hitachi-power-semicon ... uct/igbt/index.html
點連結會下載 ppt   Comparison Study of 12kV n-type SiC IGBT with 10kV SiC MOSFET
https://www.google.com.tw/url?sa ... 6a0-1qcEeQzP7kTrNOg

因為IGBT切換頻率的因素 HV等級(1000V) 以後小型化 SiC-MOSFET 未來還是比較有優勢

peter5438

duncan 發表於 2017-10-28 06:59 AM
可以看看2013新聞
http://www.autooo.net/utf8-classid164-id108127.html

真的很謝謝您... ...提醒我...我還以為那間公司在吹牛...科技的進步現在SiC MOSFET又打敗IGBT .....

那這樣子的話...大家都會用這個SiC MOSFET來設計大功率的UPS...太陽能板所用的轉換器.....

功率半導體材料正迎來材料更新換代，這些新材料就是SiC（碳化矽）和GaN（氮化镓），二者的物理特性均優於現在使用的Si（矽）........就像竹炭麵包一樣...好像什麼東西加了炭, 都會變更好...





10 kV, 120 A SiC MOSFET modules for a power electronics building block - Christina, Igor, and Zhiyu
https://www.youtube.com/watch?v=9hfK3GaCqiQ


A 50kW SiC Three-phase AC-DC Converter Design for High Temperature Operation - Christina Dimarino
https://www.youtube.com/watch?v=b8580rTRXDQ


然後 SiC IGBT 又打敗 SiC MOSFET.....一直推出新的產品是不是嫌我們的功課太少?  

看起來好像 SiC IGBT 贏了...其實沒有因為 SiC IGBT 有溫度過高和穩定的問題...