Intel悲劇！韓國搶先註冊3D晶體管專利

tseryow

Intel悲劇！韓國搶先註冊3D晶體管專利
據韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣佈領先全球開發出的3D晶體管製程技術，韓國研究團隊早已開發完成。韓國向美國提出技術專利申請時間較英特爾早約10天，若受審核為同樣的技術，韓國將可獲得龐大的專利權使用收入。

首爾大學電機工程學系教授李鍾浩(譯名)表示，在韓國及美國持有與英特爾發表的3D晶體管製程技術tri-gateMOSFET相同的bulkFinFET相關技術專利。他表示，2項技術只有名稱不同，但應用的方式是相同的。

李鍾浩表示，從英特爾目前為止公開的資料來看，與韓國持有的專利技術完全相同，相關技術韓國已取得韓國境內及美國的專利權，並發表60多篇論文，在技術方面是已得到驗證的事實。

bulkFinFET技術2002年1月30日已在韓國申請專利，且於2003年8月成功登錄專利，接著2003年2月4日向美國申請專利，並於 2年後的2005年4月26日完成登錄，而英特爾則在晚李鍾浩10天的2003年2月14日，才提出tri-gateMOSFET專利申請。

英特爾發表的3D墊晶體製程技術可增加晶體管通道數量，增加電流量，電流流失與目前的2D晶體管相比顯著減少，大幅提升其效率。此外，此3D晶體管技術也適合用在微細製程，提升芯片集積度。

英特爾計劃將該計數應用在22納米量產製程中，進入行動裝置芯片市場。行動芯片需求持續增加，李鍾浩的專利技術若審核後確定為同樣的技術，將可獲得數量龐大的專利金。

bulkFinFET技術的美國專利及發明者皆登錄為李鍾浩，專利權則由專利營銷專門公司PNIB所持有，此外，該技術相關的多數應用技術也由李 鍾浩及其所屬的首爾大學共同持有。李鍾浩當時提出相關技術專利申請後，曾邀請韓國企業進行共同開發，然當時因技術不具商業性為由遭拒。

李鍾浩表示，先申請專利者可獲得專利權法保護，而經過確認後，確實比英特爾更早提出專利申請，應沒有其它問題。為取得美國專利權保護，將會以英特爾為對象，與PNIB共同進入相關法律程序。

↑來源http://www.inpai.com.cn/doc/hard/149835.htm

該說韓國人卑鄙呢 還是無恥.....

draculaxx

Intel是大鯨魚，如果打輸了就怪自己技不如人吧！n_131|
（雖然如此，韓國可能慢慢會變成科技的邪惡大帝國。n_080| ）

AGC

韓國: 3D晶體管是韓國的

印替爾:沒關係讓給你,我們開始研發光晶片

逃兵

tseryow 發表於 2011-5-29 08:22 PM static/image/common/back.gif
Intel悲劇！韓國搶先註冊3D晶體管專利
據韓國電子新聞報導，日前英特爾(Intel)宣佈領先全球開發出的3D晶體 ...

專利法是那一個國家先玩的呀。
智慧財產權是那個國家先玩的呀。

您沒有玩遊戲時，完全依照”規定”下去玩，玩到快嬴了的時候，突然被說改遊戲規則的吧。反正，我們都是觀眾，看戲。拿個椅子跟”白開水”（別拿錯了，有DEHP的）。看戲 n_125|

shl651029

感覺是美國這各邪惡帝國 玩贏啦規則繼續用
玩輸啦  我用301條款制裁你
反正怎樣玩 都他贏
除拉有人和他一樣強大 然後和他一起玩
看看誰輸或誰贏
像逃兵大說的 等著看戲

macross

呵~~
Intel 也會玩輸韓國喔n_136|
不過,3D晶體管是啥密n_079|

rex560810

哇! 好大的杯具!

雄爸爸

3D ??
現在連電晶體都有3D了n_048|

台灣粗工

n_160|  n_163| n_167|
隔山觀虎鬪