請問 在一次測FET旁二極體要用快速二極體?

t56uig

請問 在一次測FET旁二極體會用快速二極體,還是用蕭特基二極體?
因為T3D58找不到資料?FET是2SK3265


還有個問題一直搞不懂快速二極體,還是蕭特基二極體必須要用在電源電路的那裡?
還有T3D58找不到資料,要代用耐壓耐流如何定意?

draculaxx

http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=ST03D

t56uig

感謝 draculaxx
不知道你是如何下搜尋,我想不到會變ST03D
ST03D-200
TVS ( 突波 吸收 二極体 ) ( SHINDENGEN ST03D-200 ) DO-201 ( TVS= 200V 300W 185-215V )+(FAST DIODE= 1000V 1A 500ns )
請問 這個OPEN會造成沒電壓?還有這個可以挑大嗎?

港都狼仔

快速回復二極體(Fast Recovery Diode)，是指其Trr(反向回復時間)時間較短，且逆向阻隔電壓容許值較大，但其順向壓降較大(0.8~1.2V)，一般在需要快速回復場合，不重視順向壓降的地方採用。
蕭特基障壁二極體(Schottky Barrier Diode)，特色是其順向壓降較低，即使在高順向電流下，也僅0.3~0.5間，且Trr(反向回復時間)幾乎可忽略，不過缺點是逆向阻隔容許電壓較低(100V左右)且逆向洩漏電流值也較高，一般作為交換式電源二次側整流電路的整流元件。

t56uig

請問狼大
ST03D-200
TVS ( 突波 吸收 二極体 ) ( SHINDENGEN ST03D-200 ) DO-201 ( TVS= 200V 300W 185-215V )+(FAST DIODE= 1000V 1A 500ns )
突波 吸收 二極体 是歸類在 快速回復二極體嗎?還要有突波 吸收的功能?
那突波 吸收可以挑大耐壓嗎?

rex560810

蕭特基障壁二極體(Shottky Barrier Diode)，特色是其順向壓降較低...
港都狼仔 發表於 2010-10-30 01:29 PM http://bbs.pigoo.com/images/common/back.gif

偶老毛病又犯了
Schottky Barrier Diode

港都狼仔

若是TVS(Transient Voltage Suppressor，暫態電壓抑制器)，用在一次側的用途是當開關晶體OFF時，壓制一次側線圈感應電勢，避免使開關晶體因超壓而擊穿，若是其開路，表示已喪失功能，開關晶體有被感應高壓擊穿可能。

需要找相同元件代用之

偶老毛病又犯了
Schottky Barrier Diode
rex560810 發表於 2010-10-30 17:31 http://bbs.pigoo.com/images/common/back.gif

已訂正~感謝提醒~

rayd168

感謝各位大大 的經驗分享