各式MOSFET的規格資料[2009-5-8更新]

hannahmo

MOSFET型號	封裝型式	V[sub]DSS[/sub](V)	I[sub]D[/sub](A)	R[sub]DS[/sub](Ω)	P[sub]D[/sub](W)
STP3NC60FP	TO-220	600	3.3	2.2	40
2SK2750	TO-220	600	3.5	2.2	35
2SK3567	TO-220AB	600	3.5	2.2	35
STP4NK60ZFP	TO-220	600	4.0	2.0	25
2SK1402	TO-220AB	600	4.0	2.4	50
KHB4D5N60F2	TO-220	600	4.5	2.5	36
CEF02N6A	TO-220F	650	1.5	7.5	28
CEF02N6A	TO-220	650	1.5	7.5	42
CEF02N6A	TO-263(DD-PAK)	650	1.5	7.5	42
CEF02N6A	TO-262	650	1.5	7.5	42
FQA11N90C_06	TO-3P	900	11.0	1.4	300
FQP4N90	TO-220	900	4.2	3.3	140
STW12NK90Z	TO-247	900	11.0	0.73	230
STW11NK90Z	TO-247	900	9.2	0.82	200

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MOSFET代用品使用時請注意下列幾點：
1.V[sub]DSS[/sub]：Drain-Source Voltage，D-S之間的可承載電壓，愈大愈好。
2.I[sub]D[/sub]：Continuous Drain Current，D極可承載之連續電流，愈大愈好。
3.R[sub]DS[/sub]：Drain-Source On-State Resistance，D-S之間在導通狀態時的阻抗，愈小愈好。
4.P[sub]D[/sub]：Total Power Dissipation，散發功率，愈大愈好。
5.儘量使用同一種封裝型式，以確保腳位之正確性。

關於P[sub]D[/sub]，經詢問過電子專長的專業人士後，由他解釋後了解，應叫做散發功率。
愈大愈好，它意思封裝本身可以幫半導體散離的功率，若輸出的功率大於散發功率時，會致使半導體內部結構損壞。
在此改正。
hannahmo修正於2009-05-16